| 講演名 | 2000/6/22 高周波AlGaN/GaNヘテロ構造FET 井上 薫, 池田 義人, 正戸 宏幸, 松野 年伸, 西井 勝則, |
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| 抄録(和) | 高周波パワーデバイスとして有望なSiC基板上のAlGaN/GaNヘテロ構造FET(HFET)の作製とプロセス技術の改善について述べる。作製した0.3μmゲートHFETは、ドレイン電流740mA/mm、相互コンダクタンス150mS/mmおよびゲート・ドレイン耐圧50V以上のDC特性と電流遮断周波数22.2GHz、最大発振周波数85.3GHzのRF特性を示した。一方、デバイス作製を通じてゲート電極の密着性、絶縁膜の剥離、リーク電流と耐圧などプロセス技術上の問題点が明らかとなった。これらを解決するためPdSiゲート電極、アンモニアプラズマによる表面処理、層間絶縁膜の選択、新しい素子間分離技術について検討した結果を報告する。 |
| 抄録(英) | AlGaN/GaN heterostructure FETs (HFETs) on a SiC substrate are promising candidates for high-frequency power devices. We describe their fabrication and improvements in process technologies. The fabricated 0.3μm gate HFETs showed a maximum drain current of 740mA/mm, a peak transconductance of 150mS/mm and breakdown voltages higher than 50V together with high f_T and f_ |
| キーワード(和) | AlGaN/GaNヘテロ構造 / HFET / パワーデバイス / リーク電流 / 耐圧 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN heterostructure / HFET / power device / leakage current / breakdown voltage |
| 資料番号 | ED2000-61,SDM2000-61 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2000/6/22(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高周波AlGaN/GaNヘテロ構造FET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ED2000-61 / SDM2000-61 High-frequency AlGaN/GaN heterostructure FETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaNヘテロ構造 / AlGaN/GaN heterostructure |
| キーワード(2)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(3)（和/英） | パワーデバイス / power device |
| キーワード(4)（和/英） | リーク電流 / leakage current |
| キーワード(5)（和/英） | 耐圧 / breakdown voltage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井上 薫 / K. Inoue |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電子工業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 池田 義人 / Y. Ikeda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電子工業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 正戸 宏幸 / H. Masato |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電子工業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松野 年伸 / T. Matsuno |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電子工業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 西井 勝則 / K. Nishii |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電子工業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 2000/6/22 |
| 資料番号 | ED2000-61,SDM2000-61 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 148 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |