| 講演名 | 2000/3/9 MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用 今田 将吾, 徳光 永輔, 石原 宏, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 分子線エピタキシー(MBE)法を用いて、強誘電体YMO(YMnO_3)薄膜をSi(111)基板上へエピタキシャル成長した。この際、バッファ層としてY_2O_3を用いた。RHEEDによるその場観察及びX線回折測定結果より、ロッキングカーブの半値幅が0.7゜程度の良好な結晶性を有するYMO薄膜がSi(111)基板上にエピタキシャル成長していることを確認した。また、MFISFET(金属-強誘電体-絶縁体-半導体FET)を作製するために、まずY_2O_3バッファ層のみでMISFET(金属-絶縁体-半導体FET)を作製し、そのトランジスタ動作を確認した。最後に、MFISFETを作製し、強誘電体YMO薄膜を用いたものとしては、はじめてトランジスタ動作を確認した。 |
| 抄録(英) | Ferroelectric YMO(YMnO_3), thin films are grown on Si(111)substrates using Y_2O_3 buffer layers by molecular beam epitaxy(MBE). It is shown by the reflection high-energy electron diffraction(RHEED)analyses and X-ray-diffraction(XRD)that YMO films with good crystalline quality are epitaxially grown on Si substrates, and X-ray rocking curve measurements also show that the best FWHM(full width at half maxmum)value for YMnO_3 films is 0.7゜. Next, MISFETs(Metal-Insulator-Semiconductor field effect transistor)and MFISFETs(F:ferroelectric)are fabricated and the transistor operations are confirmed. |
| キーワード(和) | 強誘電体 / Y_2O_3 / YMnO_3 / 分子線エピタキシー / MFISFET / Si |
| キーワード(英) | ferroelectric / Y_2O_3 / molecular beam epitaxy / MFISFET / Si |
| 資料番号 | ED99-328, SDM99-221 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2000/3/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of ferroelectric YMnO_3 thin films on Si(111)substrates by MBE method and application to the ferroelectric gate FETs. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体 / ferroelectric |
| キーワード(2)（和/英） | Y_2O_3 / Y_2O_3 |
| キーワード(3)（和/英） | YMnO_3 / molecular beam epitaxy |
| キーワード(4)（和/英） | 分子線エピタキシー / MFISFET |
| キーワード(5)（和/英） | MFISFET / Si |
| キーワード(6)（和/英） | Si |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 今田 将吾 / Shogo Imada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学フロンティア創造共同研究センター Frontier Collaborative Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 徳光 永輔 / Eisuke Tokumitsu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所 Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石原 宏 / Hiroshi Ishiwara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学フロンティア創造共同研究センター Frontier Collaborative Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2000/3/9 |
| 資料番号 | ED99-328, SDM99-221 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 671 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |