| 講演名 | 2000/3/9 レーザーアブレーション法によるSr_2(Ta_<1-x>, Nb_x)_2O_7薄膜の低温作製と電気的特性 中磯 俊幸, 杉山 秀樹, 野田 実, 奥山 雅則, |
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| 抄録(和) | レーザーアブレーション(Pulsed Laser Deposition(PLD))法によりSr_2(Ta_<1-x>, Nb_x)_2O_7(STN)強誘電体薄膜を作製しその電気的特性を評価した。組成比(X=0.2, 0.3)において基板温度600℃で結晶化し、特にN_2Oガスを雰囲気ガスに用いたとき比較的強い(110), (151), (172)配向のSTN薄膜が得られた。D-Eヒシテリシスは、x=0.3のとき残留分極Pr=0.4μC/cm^2、抗電界Ec=30kV/cmの対称性の良いものであり、10^<10>回の分極印加をしてもPrに変化は見られなかった。比誘電率は70である。 |
| 抄録(英) | Sr_2(Ta_<1-x>, Nb_x)_2O_7(STN)ferroelectric thin films have been prepared on Pt / Ti / SiO_2 / Si substrate at low temperature of 600℃ by Pulsed Laser Deposition Method. (110)-, (151)-and (172)-oriented STN thin films are deposited in N_2O atmosphere for composition ratio of X=0.2 and 0.3. A symmetrical D-E hysteresis loop of the film for composition ratio of X=0.3 is observed, the remanent polarization is 0.4μC / cm^2 and the coercive force is 30kV / cm. Remanent polarization does not change after 10^<10> cycles of polarization reversal. Dielectic constant at room temperature is about 70 at 1MHz. |
| キーワード(和) | Sr_2(Ta_<1-x>, Nb_x)_2O_7(STN) / 強誘電体薄膜 / PLD |
| キーワード(英) | Sr_2(Ta_<1-x>, Nb_x)_2O_7(STN) / ferroelectric thin film / PLD |
| 資料番号 | ED99-326, SDM99-219 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2000/3/9(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | レーザーアブレーション法によるSr_2(Ta_<1-x>, Nb_x)_2O_7薄膜の低温作製と電気的特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-Temperature Preparation of Sr_2(Ta_<1-x>, Nb_x)_2O_7 thin films by Pulsed Laser Deposition and its Electrical Properties |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Sr_2(Ta_<1-x>, Nb_x)_2O_7(STN) / Sr_2(Ta_<1-x>, Nb_x)_2O_7(STN) |
| キーワード(2)（和/英） | 強誘電体薄膜 / ferroelectric thin film |
| キーワード(3)（和/英） | PLD / PLD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中磯 俊幸 / T. Nakaiso |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学基礎工学研究科物理系機能デバイス講座 Ared of Materials and Device Physics, Department of Physical Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 杉山 秀樹 / H. Sugiyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学基礎工学研究科物理系機能デバイス講座 Ared of Materials and Device Physics, Department of Physical Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野田 実 / M. Noda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学基礎工学研究科物理系機能デバイス講座 Ared of Materials and Device Physics, Department of Physical Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 奥山 雅則 / M. Okuyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学基礎工学研究科物理系機能デバイス講座 Ared of Materials and Device Physics, Department of Physical Science, Graduate School of Engineering Science, Osaka University |
| 発表年月日 | 2000/3/9 |
| 資料番号 | ED99-326, SDM99-219 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 671 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |