講演名 1999/8/27
分布定数FETを用いた超広帯域MMICスイッチの開発
水谷 浩, 舟橋 政弘, 高山 洋一郎,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 分布定数FETを用いたMMICスイッチ(TWSW:Traveling Wave Switch)は、dc~110GHzの測定範囲で良好な特性を示した。60GHz、76GHz、94GHzにおいて、実測した挿入損失はそれぞれ1.29dB、1.51dB、2.13dB、アイソレーションはそれぞれ34.6dB、36.4dB、44.5dBであった。ON状態のリターンロスはdc~100GHzまで10dB以上であった。TWSWの小信号特性は、ON/OFFともにLossy Transmission Line Modelで表すことができることを示した。40GHzにおけるTWSWの挿入損失は、入力電力26.5dBmまで劣化はなく、ON/OFF比も20dB以上得られた。TWSWの大信号特性は、2端子非線形FETモデルを用いた分布定数回路によって設計できることを示した。また、スイッチング速度評価からtr~600ps、tf~400psを得、高速なスイッチング動作が可能であることを確認した
抄録(英) A MMIC switch using the distributed FET (TWSW: Traveling Wave Switch) has been developed. The MMIC switch indicated the broadest-band small signal characteristics from dc to 110GHz. The insertion loss of 1.29dB, 1.51dB and 2.13dB and the isolation of 24.6dB, 36.4dB and 44.5dB were obtained at 60GHz, 76GHz and 94GHz, respectively. The retrun loss of the ON-state was more than 10dB up to 100GHz. The snmll signal characteristics is expressed as the unified lossy transmission line model for ON/OFF state. Up to the input power of 26.5dBm, the insertion loss indicated no degradation and the ON/OFF ratio of more than 20dB was obtained at 40GHz. By using of the 2-terminal non-linear FET model, the large signal characteristics of the TWSW can be successfully predicted. The TWSW also indicated high speed switching characteristics such as tr of 600 ps and TF of 400ps.
キーワード(和) スイッチ / MMIC / 分布定数 / ミリ波
キーワード(英) switch / MMIC / distributed / millimeter-wave
資料番号 ED99-171
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 1999/8/27(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 分布定数FETを用いた超広帯域MMICスイッチの開発
サブタイトル(和)
タイトル(英) An Ultra-Broadband MMIC Switch Using Distributed FET
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) スイッチ / switch
キーワード(2)(和/英) MMIC / MMIC
キーワード(3)(和/英) 分布定数 / distributed
キーワード(4)(和/英) ミリ波 / millimeter-wave
第 1 著者 氏名(和/英) 水谷 浩 / Hiroshi Mizutani
第 1 著者 所属(和/英) 日本電気(株)C&CLSI開発本部
NEC Corporation, C&C LSI Development Division
第 2 著者 氏名(和/英) 舟橋 政弘 / Masahiro Funabashi
第 2 著者 所属(和/英) 日本電気(株)C&CLSI開発本部
NEC Corporation, C&C LSI Development Division
第 3 著者 氏名(和/英) 高山 洋一郎 / Yoichiro Takayama
第 3 著者 所属(和/英) 日本電気(株)C&CLSI開発本部 半導体グループ
NEC Corporation, C&C LSI Development Division Semiconductor Group
発表年月日 1999/8/27
資料番号 ED99-171
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 282
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日