| 講演名 | 1999/8/26 キンク現象を伴うGaAs MESFETの2次元定常および過渡シミュレーション 若林 朗, 三谷 恭隆, 堀尾 和重, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | GaAsMESFETのキンク現象に与える表面準位の影響を2次元シミュレーションにより調べた。衝突イオン化による正孔発生とそれに引き続く表面準位の正孔捕獲に起因した空間電荷効果によりキンクが生じうることか示された。表面準位の性質の違いが電位分布に大きな影響を与え、電流急上昇のドレイン電圧が変化する。過渡解析あるいは動的解析の結果より、トラップに起因したキンクがかなり遅い現象であることが示された。基板内トラップに起因したキンクの動的挙動についても調べた。 |
| 抄録(英) | Surface-state effects on kink phenomena in GaAs MESFETs are studied by two-dimensional simulation. It is shown that the kink could arise due to a space-charge effect originated from impact ionization of holes and the following hole trapping by the surface states. The onset voltage for current rise depends on the nature of surface states which strongly affects the potential profiles. Transient or dynamic simulation has indicated that the trap-related kink is a rather slow phenomenon. Dynamic behavior of substrate-related kink is also analyzed. |
| キーワード(和) | GaAsMESFET / キンク現象 / 表面準位 / トラップ / 衝突イオン化 / デバイスシミュレーション |
| キーワード(英) | GaAs MESFET / kink phenomenon / surface state / trap / impact ionization / device simulation |
| 資料番号 | ED99-146 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 1999/8/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | キンク現象を伴うGaAs MESFETの2次元定常および過渡シミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Two-Dimensional DC and Transient Simulation of Kink Phenomena in GaAs MESFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAsMESFET / GaAs MESFET |
| キーワード(2)（和/英） | キンク現象 / kink phenomenon |
| キーワード(3)（和/英） | 表面準位 / surface state |
| キーワード(4)（和/英） | トラップ / trap |
| キーワード(5)（和/英） | 衝突イオン化 / impact ionization |
| キーワード(6)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 若林 朗 / A. Wakabayashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 システム工学部 Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Teclmology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三谷 恭隆 / Y. Mitani |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 システム工学部 Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Teclmology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 堀尾 和重 / K. Horio |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 システム工学部 Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Teclmology |
| 発表年月日 | 1999/8/26 |
| 資料番号 | ED99-146 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 281 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |