講演名	1999/7/23 Moisture Induced Hump Characteristics of Shallow Trench-Isolated Sub-1/4 μm nMOSFET ,
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抄録(和)
抄録(英)	In this paper, short-channel hump characteristics of nMOSFETs (W/L_=15/0.25um) fabricated with 0.23um STI DRAM technology, induced by moisture not by the field oxide recess, have been firstly investigated. LPCVD TEOS(LP-TEOS) ILD over poly-Si gate of nMOSFETs generates moisture, which isn't diffused out of LP-TEOS layer due to the upper capping SiN layer, generally used for etch stopper layer during formation of the DRAM cell capacitor, but diffuses into the gate edge, and induces short-channel humps. Based on the extensive experimental results, we obviously show that the short-channel hump phenomena are caused by diffusion of moisture from LP-TEOS. To eliminate moisture in the LP-TEOS layer by out-gassing, the vacuum anneal or RTP prior to the deposition of the capping SiN(300Å) layer was carried out. As the result, short-channel humps of nMOSFETs were successfully suppressed.
キーワード(和)
キーワード(英)	Short channel hump / STI, ILD moisture / RTP anneal / vacuum anneal / Moisture out-gassing
資料番号	ED99-116
発行日

研究会情報
研究会	ED
開催期間	1999/7/23(から1日開催)
開催地（和）
開催地（英）
テーマ（和）
テーマ（英）
委員長氏名（和）
委員長氏名（英）
副委員長氏名（和）
副委員長氏名（英）
幹事氏名（和）
幹事氏名（英）
幹事補佐氏名（和）
幹事補佐氏名（英）

講演論文情報詳細
申込み研究会	Electron Devices (ED)
本文の言語	ENG
タイトル（和）
サブタイトル（和）
タイトル（英）	Moisture Induced Hump Characteristics of Shallow Trench-Isolated Sub-1/4 μm nMOSFET
サブタイトル（和）
キーワード(1)（和/英）	/ Short channel hump
第 1 著者 氏名（和/英）	/ Sung-Kye Park
第 1 著者 所属（和/英）	PG.1, R&D Division, LG Semicon Co. Ltd.
発表年月日	1999/7/23
資料番号	ED99-116
巻番号（vol）	vol.99
号番号（no）	230
ページ範囲	pp.-
ページ数	5
発行日