講演名 1999/7/22
A 1.8GHz Driver Amp Design and Production DC Screening Techniques for RF Performances of Bipolar ICs
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抄録(和)
抄録(英) A novel approach for DC screening of the monolithic silicon bipolar RFICs for noise figure (NF) and power gain (S_<21>) is presented. The proposed technique, which is applied to a 1.8 GHz driver amp, demonstrates excellent correlation between the resistance of a proposed r_b test structure and the NF and S_<21> of the RFIC. This study show that setting a limit on the base resistance of bipolar junction transistors (BJTs) is effective in screening the AC performances of any RFICs as well as transistors.
キーワード(和)
キーワード(英) Driver Amp / RF IC / Bipolar Junction Transistor / Noise Figure / Power Gain
資料番号 ED99-107
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 1999/7/22(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) A 1.8GHz Driver Amp Design and Production DC Screening Techniques for RF Performances of Bipolar ICs
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / Driver Amp
第 1 著者 氏名(和/英) / Sang-Gug Lee
第 1 著者 所属(和/英)
Information and Communications University
発表年月日 1999/7/22
資料番号 ED99-107
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 229
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日