講演名 | 1999/7/22 A 1.8GHz Driver Amp Design and Production DC Screening Techniques for RF Performances of Bipolar ICs , |
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抄録(和) | |
抄録(英) | A novel approach for DC screening of the monolithic silicon bipolar RFICs for noise figure (NF) and power gain (S_<21>) is presented. The proposed technique, which is applied to a 1.8 GHz driver amp, demonstrates excellent correlation between the resistance of a proposed r_b test structure and the NF and S_<21> of the RFIC. This study show that setting a limit on the base resistance of bipolar junction transistors (BJTs) is effective in screening the AC performances of any RFICs as well as transistors. |
キーワード(和) | |
キーワード(英) | Driver Amp / RF IC / Bipolar Junction Transistor / Noise Figure / Power Gain |
資料番号 | ED99-107 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 1999/7/22(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | A 1.8GHz Driver Amp Design and Production DC Screening Techniques for RF Performances of Bipolar ICs |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | / Driver Amp |
第 1 著者 氏名(和/英) | / Sang-Gug Lee |
第 1 著者 所属(和/英) | Information and Communications University |
発表年月日 | 1999/7/22 |
資料番号 | ED99-107 |
巻番号(vol) | vol.99 |
号番号(no) | 229 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |