| 講演名 | 1999/7/22 高速指向の新しいSOI-CBiCMOS複合デバイス 鄭 躍生, 浅野 種正, |
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| 抄録(和) | 新しいSOI複合CBiCMOS構造実現した。CMOSのMOSFETのドレイン領域にエミッタを多結晶拡散法で導入することによってバイポーラトランジスタを内蔵した構造である。張り合わせと研磨法を併用してプルアップ、プルダウンデバイスを完全分離し、さらに高速化に有利なボトムゲート、コレクタトップ構造を実現した。バイポーラ機構によるMOSFET電流の増幅、インバータ動作、および高い負荷駆動りょくを持つことを実験的に確認した。 |
| 抄録(英) | A CBiCMOS device has been newly developed. The device consists of bipolar transistors, which amplify MOSFET currents, built-in the drain regions of each MOSFET of the CMOS using the poly-Si diffusion technology. The device has been fabricated using a reverse bonding and etching back technique to form the fully-isolated (SOI), gate-bottom, collector-top structure which facilitates high speed operation. MOSFET's current amplification and inverter operation of the new device have been experimentally verified. |
| キーワード(和) | 複合トランジスタ / SOI / BiMOS / ウエハ張り合わせ / CBiCMOS |
| キーワード(英) | merged transistor / SOI / BiMOS / wafer bonding / CBiCMOS |
| 資料番号 | ED99-105 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1999/7/22(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 高速指向の新しいSOI-CBiCMOS複合デバイス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | New SOI CBiCMOS Structure for High Speed Application |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 複合トランジスタ / merged transistor |
| キーワード(2)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(3)（和/英） | BiMOS / BiMOS |
| キーワード(4)（和/英） | ウエハ張り合わせ / wafer bonding |
| キーワード(5)（和/英） | CBiCMOS / CBiCMOS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鄭 躍生 / Yue-Sheng ZHENG |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa ASANO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1999/7/22 |
| 資料番号 | ED99-105 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 229 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |