| 講演名 | 1999/7/22 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2 植田 康之, 森泉 和也, 佐原 隆介, 木本 恒暢, 冬木 隆, 松波 弘之, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | リモートプラズマ酸化法を用いて、ナノメータオーダーの極薄 SiO_2膜を500℃以下の低温で形成した。その SiO_2膜の電気的特性を電流-電圧測定ならびに高周波容量-電圧測定により評価した。酸化前の保護酸化膜形成により低電界領域でのリーク電流が低減され、また酸化後の高速熱処理(RTA)により、界面特性が改善された。形成した酸化膜をMOSFETのゲート絶縁膜に応用し、良好な動作を確認した。その動作特性から、プロセスとSiO_2/Si界面特性の関係について考察を行った。 |
| 抄録(英) | Ultra-thin nanometer-scale SiO_2 films were formed at low temperatures below 500℃ by a remote plasma process. The electrical properties of formed SiO_2 films were characterized by current-voltage and high-frequency capacitance-voltage measurements. Formation of a protective oxide (pre-oxide) on the surface before oxidation reduced leakage current in the low electric field region. RTA (rapid thermal annealing) after oxidation improved the interface characteristics. Achieved SiO_2/Si interface characteristics were discussed related to the performance of a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor). |
| キーワード(和) | 極薄酸化膜 / 低温酸化 / 保護酸化膜 / RTA / MOSFET |
| キーワード(英) | ultra-thin oxide / low-temperature oxidation / protective oxide / RTA / MOSFET |
| 資料番号 | ED99-101 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 1999/7/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 酸素活性種を活用した低温形成極薄MOSFETゲートSiO_2 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultra-thin Silicon Dioxide for MOSFET Gate Formed at Low Temperatures Utilizing Activated Oxygen |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 極薄酸化膜 / ultra-thin oxide |
| キーワード(2)（和/英） | 低温酸化 / low-temperature oxidation |
| キーワード(3)（和/英） | 保護酸化膜 / protective oxide |
| キーワード(4)（和/英） | RTA / RTA |
| キーワード(5)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 植田 康之 / Y. Ueda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森泉 和也 / K. Moriizumi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐原 隆介 / R. Sahara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 木本 恒暢 / T. Kimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 冬木 隆 / T. Fuyuki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 Graduate School of Material Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 松波 弘之 / H. Matsunami |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 1999/7/22 |
| 資料番号 | ED99-101 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 229 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |