| 講演名 | 1999/7/22 Fabrication and Characterization of a Quantum Dot Flash Memory , |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The essential technology for fabricating the quantum dot flash memory is the nanolithography. With E-beam paterning technology and Cl_2 based RIE etching, self-aligned 100 nm wide quantum dot and 100nm wide narrow channel were fabricated. Also, quantum dot flash memory was fabricated. The memory operation was observed. The threshold voltage shift is about 0.4 V and the corresponding number of electrons involved in this operation are estimated to be about 70. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | E-beam lithography / SOI / quantum dot / RIE / memory |
| 資料番号 | ED99-83 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 1999/7/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and Characterization of a Quantum Dot Flash Memory |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / E-beam lithography |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Taekeun Hwang |
| 第 1 著者 所属（和/英） | LG Semicon. Co. |
| 発表年月日 | 1999/7/22 |
| 資料番号 | ED99-83 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 229 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |