| 講演名 | 1999/5/20 不均一キャリア濃度分布がDLTS測定に及ぼす影響 伊藤 明, 徳田 豊, |
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| 抄録(和) | 不均一キャリア濃度分布仁よるDLTS測定波形の変化について、数値計算仁より通常広く用いられている温度掃引容量過渡応答を求め明らかにした。容量過渡応答測定中の空乏層端がキャリア変化領域を通過する際、DLTS測定波形が歪む。単一電子トラップを仮定した場合仁おいて、複数のDLTS測定ピークが見られた。この見かけ上のピークは、DLTS測定の時定数を変化させてもほとんどそのピーク温度は変化せず、アレニウスプロットから電子放出の活性化エネルギーを求めると2・7eVと異常な値を示す。また、そのピーク高さは時定数の減少とともに大きく減少する。キャリアが不均一な試料のDLTS測定には、特別な注意が必要である。 |
| 抄録(英) | Simulation of a temperature-scan capacitance deep-level transient spectroscopy (DLTS) spectrum was carried out with numerical calculation of the Poisson's equations which depend on measurement temperature (T), time (t) and position (x). When it is assumed that carrier concentration change abruptly in depth and one electron trap exits, the calculated DLTS spectrum shows two peaks. Frorn the Arrhenious plot of the ghost DLTS peak, the values of carrier emission activation energy and its capture cross section are 2.7 eV and 4.6x10^<41>cm^2, respectively. It is necessary to pay attention to evaluate a point defect in a sarnple whose carrier concentration abruptly changes with the depth. |
| キーワード(和) | DLTS / キャリア不均一 / 点欠陥評価 / シミュレーション |
| キーワード(英) | DLTS / inhomogeneous carrier distribution / point defects / simulation |
| 資料番号 | ED99-30 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1999/5/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 不均一キャリア濃度分布がDLTS測定に及ぼす影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of Inhomogeneous Carrier Depth Profiles on Deep-Level Transient Spectroscopy Measurernents |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DLTS / DLTS |
| キーワード(2)（和/英） | キャリア不均一 / inhomogeneous carrier distribution |
| キーワード(3)（和/英） | 点欠陥評価 / point defects |
| キーワード(4)（和/英） | シミュレーション / simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 伊藤 明 / A. Ito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 鈴鹿工業高等専門学校 電子情報工学科 Suzuka National College of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 徳田 豊 / Y. Tokuda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 愛知工業大学 電子工学科 Aichi Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1999/5/20 |
| 資料番号 | ED99-30 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 63 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |