| 講演名 | 1999/6/25 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性 岩田 直高, 西村 武史, 加藤 武彦, Hau Gary, 富田 正俊, 尾藤 康則, |
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| 抄録(和) | 多層キャップ構造の適用により低いオン抵抗(1.4Ω・mm)を有するSi-doped AlGaAs/InGaAs/Si-doped AlGaAsヘテロ接合FET(HJFEF)をW-CDMA規格に準拠して評価した。セットドレイン電流50mA,動作電圧3.5Vにおいて最適整合したゲート幅19.2mmのFETは、隣接チャネル漏洩電力比-40dBc時に出力電力570mWと電力付加効率54%を示した。このFETのドレインバイアス供給回路にDC-DCコンバータを用いて1.0V動作させたところ、21%の効率(コンバータ効率含む)を20mW出力時に達成した。高効率HJFETとDC-DCコンバータの組合せが、広い出力電力範囲で高い効率を必要とするW-CDMA端末用パワーアンプに好適である。 |
| 抄録(英) | This paper describes W-CDMA power performance of a double-doped heterojunction FET (HJFET) with a novel multilayer cap. With an optimum impedance matching at a reduced quiescent drain current (I_q) of 50mA and a drain bias voltage of 3.5V, the HJFET with a 19.2mm gate width exhibited a power added efficiency (PAE) of 54% with an output power (P_ |
| キーワード(和) | W-CDMA用端末 / 高出力素子 / オン抵抗 / 低電圧動作 / ヘテロ接合FET |
| キーワード(英) | W-CDMA handset / power device / on-resistance / low voltage operation / heterojunction FET |
| 資料番号 | ED99-78 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1999/6/25(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 3.5V以下で動作電圧制御したW-CDMA端末用高出力ヘテロ接合FETの高効率特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Efficiency Operation of Power Heterojunction FET with Drain Bias Supply Control of less than 3.5V for W-CDMA Handsets |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | W-CDMA用端末 / W-CDMA handset |
| キーワード(2)（和/英） | 高出力素子 / power device |
| キーワード(3)（和/英） | オン抵抗 / on-resistance |
| キーワード(4)（和/英） | 低電圧動作 / low voltage operation |
| キーワード(5)（和/英） | ヘテロ接合FET / heterojunction FET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岩田 直高 / Naotaka Iwata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 西村 武史 / Takeshi B. Nishimura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 加藤 武彦 / Takehiko Kato |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | Hau Gary / Gary Hau |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 富田 正俊 / Masatoshi Tomita |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 尾藤 康則 / Yasunori Bito |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NEC関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 1999/6/25 |
| 資料番号 | ED99-78 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 146 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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