講演名 1999/6/24
低電圧CMOSデジタル回路技術の現状と展望
水野 弘之,
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抄録(和) 本論文では、近年の低電圧CMOSデジタル回路に関する技術についで述べる。始めに現在までの回路の低電圧化要求の推移について整理した後、これまでに開発された低電圧回路技術およびその流れを、(1)待機時サブスレッショルドリーク電流削減技術、(2)動作時サブスレッショルドリーク削減技術、(3)SOIデバイスを用いたリーク削減技術に分けて紹介する。その後、これからの低電圧化技術の展望について考察を行う。
抄録(英) This paper describes recent low-voltage CMOS digital circuit technology. After clarifying the history of a demand for lower voltage, we review the history of low-voltage circuits with classifying into three categories:(1) Subthreshold leakage current reduction scheme during a standby mode (2) that during an active mode and (3) that with using SOI devices. Finally future perspective is discussed.
キーワード(和) 低電圧 / 低電力 / CMOS / サブスレッショルドリーク / 基板バイアス
キーワード(英) Low-Voltage / Low-Power / CMOS / Subthreshold leakage / Substrate bias
資料番号 ED99-66
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 1999/6/24(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 低電圧CMOSデジタル回路技術の現状と展望
サブタイトル(和)
タイトル(英) Low-Voltage CMOS Digital Circuits : Present and Future
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 低電圧 / Low-Voltage
キーワード(2)(和/英) 低電力 / Low-Power
キーワード(3)(和/英) CMOS / CMOS
キーワード(4)(和/英) サブスレッショルドリーク / Subthreshold leakage
キーワード(5)(和/英) 基板バイアス / Substrate bias
第 1 著者 氏名(和/英) 水野 弘之 / Hiroyuki Mizuno
第 1 著者 所属(和/英) (株)日立製作所中央研究所
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
発表年月日 1999/6/24
資料番号 ED99-66
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 145
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日