| 講演名 | 1994/12/15 ゲート構造を有するクレータ型電界放出エミッタの電子放出特性 鈴木 勝実, 澤田 和明, 安藤 隆男, |
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| 抄録(和) | 撮像デバイスの読み出し部として電界放出エミッタを使用する場合に必要な、高電流密度エミッタとしてクレータ型の電界放出エミッタを提案した。n型Si基板を使用したクレータ型エミッタの放出電子特性は、Fowler-Nordheimの関係式を満たし電子の放出が確認できた。またその三極管素子について、ゲート構造の最適化を行い放出電子特性におけるその有用性を確認した。p型Si基板で製作したエミッタの放出電流は飽和し、飽和電流値は表面準位による表面発生速度とエミッション面積の積で決まることから、クレータ型エミッタは従来のコーン型エミッタにくらべ約70倍大きな電子放出面積を有することが確かめられ、撮像素子の読み出し用電子源として十分に使用できることが明らかになった。 |
| 抄録(英) | Silicon field emitter arrays with crater shaped structure were proposed for application to imaging device.The I-V characteristics of the crater-shaped field emitters are followed the F-N relationship.The gate electrode of the geometry crater-shaped field emitters was studied to decrease a threshold voltage of an emission current,and it was found that crater-shaped emitter with gate electrodes on the both side of wedges can be emitted more current than that on oneside of wedges. Using saturation characteristics of p-type Si field emitters,it was found that the emission area of the crater-shaped emitter is 70 times larger than that of the cone-shaped emitter. |
| キーワード(和) | 電界放出エミッタ / クレータ型エミッタ / 三極管素子 / ゲート構造 / P型Si / 飽 和電流 |
| キーワード(英) | field emitter / crater-shaped field emitter / gate electrode of the geometry / p-type Si / saturation characteristics |
| 資料番号 | ED94-96 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1994/12/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゲート構造を有するクレータ型電界放出エミッタの電子放出特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electron emission characteristics of crater-shaped field emitters with gate electrodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電界放出エミッタ / field emitter |
| キーワード(2)（和/英） | クレータ型エミッタ / crater-shaped field emitter |
| キーワード(3)（和/英） | 三極管素子 / gate electrode of the geometry |
| キーワード(4)（和/英） | ゲート構造 / p-type Si |
| キーワード(5)（和/英） | P型Si / saturation characteristics |
| キーワード(6)（和/英） | 飽 和電流 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 勝実 / Katsumi Suzuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Reseach Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 澤田 和明 / Kazuaki Sawada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Reseach Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 安藤 隆男 / Takao Ando |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Reseach Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 発表年月日 | 1994/12/15 |
| 資料番号 | ED94-96 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 404 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |