| 講演名 | 1994/11/18 (110)InP基板上のInGaAs/InAlAs MQWのMBE成長と光学的特性 浅井 裕充, 尾江 邦重, 岩村 英俊, |
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| 抄録(和) | (110)InP微傾斜基板上のInGaAs, InAlAsMQWのMBE成長とその光学特性について検討する。この中で、(110)面から[001]方向に傾斜した基板では、MQWの光学特性が著しく劣化することを示す。TEDやTEM観察から、この原因は組成の揺らぎと原子配列上のオーダリングであることを明らかにする。一方、[001]方向の微傾斜基板上のMQWでは、(001)面の場合に比べても優れた光学特性を示すことを述べる。この原因は、(110)面における単原子層の高さが本質的に小さいためであり、この点での(110)面の優位性を明らかにする。最後に、(110)MQWに特有な面内光学異方性を述べ、得られた異変性が簡単な計算から説明できることを示す。 |
| 抄録(英) | The MBE growth and optical characteristics of InGaAs, InAlAs MQWs on vicinal(110)InP substrates are investigated.For the MQWs grown on the (110)substrates tilted towards to[001],no excitonic absorption peaks and extremely-weak and broad PL spectra are observed.The TED and TEM observations have clarified that these poor characteritics ae due to compositional fluctuation and atomic ordering in the MQWs.On the other hand,the MQWs on the (110) orientations tilted towards[001]have indicated narrower linewidth in the absorption spectra than the(001)samples.This is because the monolayer height in(110)MQWs is essentially smaller than that of(001)MQWs.Finally,we show that the in-plane optical anisotropy in absorptin spectra is observed only for(110)MQWs and this anisotropy agrees with a simple calculation. |
| キーワード(和) | (110)基板 / MBE成長 / 量子井戸 / InGaAs/InA/As / TEM観察 / 光学 異方性 |
| キーワード(英) | (110)substrate / MBE growth / quantum well / InGaAs/nA/s / TEM obervation / optical anisotropy |
| 資料番号 | ED94-87,CPM94-83 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1994/11/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | (110)InP基板上のInGaAs/InAlAs MQWのMBE成長と光学的特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MBE growth and optical characteristics of InGaAs/InAlAs MQWs on(110)InP substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | (110)基板 / (110)substrate |
| キーワード(2)（和/英） | MBE成長 / MBE growth |
| キーワード(3)（和/英） | 量子井戸 / quantum well |
| キーワード(4)（和/英） | InGaAs/InA/As / InGaAs/nA/s |
| キーワード(5)（和/英） | TEM観察 / TEM obervation |
| キーワード(6)（和/英） | 光学 異方性 / optical anisotropy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 浅井 裕充 / Hiromitsu Asai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-electronics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 尾江 邦重 / Kunishige Oe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-electronics Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岩村 英俊 / Hidetoshi Iwamura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT光エレクトロニクス研究所 NTT Opto-electronics Laboratories |
| 発表年月日 | 1994/11/18 |
| 資料番号 | ED94-87,CPM94-83 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 346 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |