| 講演名 | 1994/11/18 その場エッチング/再成長プロセスによる埋め込み型AlGaAs系レーザ 小倉 睦郎, |
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| 抄録(和) | 塩素ガスを用いたECRドライエッチング装置とMOCVD反応炉とを結合したその場エッチング/再成長プロセスを開発し、比較的簡単なプロセスによりAlGaAs系埋め込み構造を持つ、複合キャビティレーザや面発光レーザを製作した。更にレーザの閾値電流の形状依存性から再成長界面の表面結合速度を推定した。 |
| 抄録(英) | A surface emitting laser and complex cavity laser AlGaAs/GaAs buried Heterostructure are fabiricated by the in-stu etch and regrowth process in which ECR dry etching and MOCVD regrowth are performed in the adjacent chamber without exposing the substrate into atmosphere. Surface recombination velocity at the regrown interface is estimated from the size effect of laser characteristics. |
| キーワード(和) | 半導体レーザ / 面発光レーザ / MOCVD / ドライエッチング / その場プロセス / 光導波路 |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ED94-85,CPM94-81 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1994/11/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | その場エッチング/再成長プロセスによる埋め込み型AlGaAs系レーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlGaAs/GaAs buried heterosutructure laserby in-situ etch regrowth process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体レーザ |
| キーワード(2)（和/英） | 面発光レーザ |
| キーワード(3)（和/英） | MOCVD |
| キーワード(4)（和/英） | ドライエッチング |
| キーワード(5)（和/英） | その場プロセス |
| キーワード(6)（和/英） | 光導波路 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小倉 睦郎 / OGURA Mitsuo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 電子総合研究所電子デバイス部 Electron device division,Electorotechnical Laboratory |
| 発表年月日 | 1994/11/18 |
| 資料番号 | ED94-85,CPM94-81 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 346 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |