| 講演名 | 1994/5/20 金属シリサイド/Si接合系の軟X線放出分光法SXESによる深さ方向非破壊分析 山内 庄一, 岩見 基弘, 大島 久純, 服部 正, |
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| 抄録(和) | 金属シリサイド, Si接合系の評価に軟X線放出分光法を用いることにより化学結合状態に起因する価電子帯構造の情報を得た。特に、入射電子線エネルギーを変化させることにより電子の拡散領域を制御し深さ方向非破壊分析を実現した。また、この手法を面方位の異なるSi基板上に形成されたNiシリサイド層の評価に適応した。Si(111)基板上で熱処理温度750℃で成長したNiシリサイド膜はNiSiとNiSi_2が混在したもので、それに対して同じ条件でSi(100)基板上に成長したNiシリサイド膜はNiSiと未反応のSi領域が混在していることが明らかになった。これらの構造についてはTEM,及びSEM観察からも確認している。 |
| 抄録(英) | We have paid attention to the valence band structure of metal- silicides, Si heterocontact system by using Soft X-ray Emission Spectroscopy:SXES.Nondestructive depth profiling analysis was performed by Incident Energy Variation(IEV)method. Furthermore,we have observed the influence of crystallographic relationship of Si substrate on the growth of Ni-silicide by using SXES.On Si(lll)substrate,NiSi and epitaxial NiSi_2 were formed,and NiSi and Si region were extended on Si(100)substrate,where both samples were treated same condition. |
| キーワード(和) | 軟X線放出分光法 / 価電子帯構造 / 非破壊分析 / Niシリサイド / エピタキシ ャル成長 |
| キーワード(英) | SXES / valence band / nondestructive analysis / Ni-silicide / epitaxial growth |
| 資料番号 | ED94-28,CPM94-29 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1994/5/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 金属シリサイド/Si接合系の軟X線放出分光法SXESによる深さ方向非破壊分析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Nondestructive Depth Profiling Using Soft X-ray Emission Spectroscopy -Study of Ni-silicide/Si hetero contact system- |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 軟X線放出分光法 / SXES |
| キーワード(2)（和/英） | 価電子帯構造 / valence band |
| キーワード(3)（和/英） | 非破壊分析 / nondestructive analysis |
| キーワード(4)（和/英） | Niシリサイド / Ni-silicide |
| キーワード(5)（和/英） | エピタキシ ャル成長 / epitaxial growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山内 庄一 / Shoichi Yamauchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電装基礎研究所 Research Laboratories,Nippondenso Co.,Ltd., |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岩見 基弘 / Motohiro Iwami |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 岡山大学理学部 Research Laboratory for Surface Science,Faculty of Science,Okayama University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大島 久純 / Hisayoshi Ohshima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電装基礎研究所 Research Laboratories,Nippondenso Co.,Ltd., |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 服部 正 / Tadashi Hattori |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電装基礎研究所 Research Laboratories,Nippondenso Co.,Ltd., |
| 発表年月日 | 1994/5/20 |
| 資料番号 | ED94-28,CPM94-29 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 47 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |