| 講演名 | 1994/5/20 液相成長Al_xGa_<1-x>Sbにおける成長中断の電気的影響 : DLTS測定を中心として 荻野 博康, 市村 正也, 宇佐美 晶, 和田 隆夫, |
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| 抄録(和) | エピタキシャル成長の評価に関して、LPE成長のメカニズム独特のものが結晶性に影響を及ぼす場合がある。その1つとして、LPE成長によりpn接合を形成する場合、p層とn層の境で成長が中断されるためにできる成長中断界面による影響がある。そこで本研究ではn型Al_xGa_1-x>Sbエピタキシャル層中に成長中断界面を形成し、電気的特性に及ぼす影響を電流-電圧測定、容量DLTS測定結果から考察する。その結果、成長中継を行うと特に逆方向I-V特性に影響を及ぼし、飽和の傾向が弱くなり、熱処理を施すことにより飽和の傾向が回復することが分かった。また、DLTS測定から界面形成によるものと思われるトラップが観測され、これらのトラップは熱処理後のDLTS信号には現れなくなった。 |
| 抄録(英) | When a pn junction is grown by liquid-phase epitaxy(LPE),the growth is inevitably interrupted at the junction.In this study, electrical properties of LPE grown n-type Al_xGa_1-x>Sb with a growth-interruption interface were investigated by current- voltage(I-V)and deep level transient spectroscopy(DLTS)techniques. We found that when the growth was interrupted,reverse current of AI Schottky diodes had only weak tendency of saturation.After an annealing,reverse I-V characteristics exhibited much clearer saturation.In the case of sgmples with an interruption interface, deep electron traps reland to the interface were detected by DLTS but not detected after the annealing. |
| キーワード(和) | Al_xGa_1-x>Sb / LPE成長 / 成長中断界面 / 電流-電圧特性 / DLTS測 定 |
| キーワード(英) | Al_xGa_1-x>Sb / Liquid Phase Epitaxy / growth-interruption interface / current-voltage characteristic / deep level transient spectroscopy technique |
| 資料番号 | ED94-27,CPM94-28 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1994/5/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 液相成長Al_xGa_<1-x>Sbにおける成長中断の電気的影響 : DLTS測定を中心として |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical effects of growth interruption in Liquid-Phase Epitaxial Al_xGa_1-x>Sb |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Al_xGa_1-x>Sb / Al_xGa_1-x>Sb |
| キーワード(2)（和/英） | LPE成長 / Liquid Phase Epitaxy |
| キーワード(3)（和/英） | 成長中断界面 / growth-interruption interface |
| キーワード(4)（和/英） | 電流-電圧特性 / current-voltage characteristic |
| キーワード(5)（和/英） | DLTS測 定 / deep level transient spectroscopy technique |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 荻野 博康 / Hiroyasu Ogino |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering,Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering,Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宇佐美 晶 / Akira Usami |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering,Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 和田 隆夫 / Takao Wada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大同工業大学 Daido Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1994/5/20 |
| 資料番号 | ED94-27,CPM94-28 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 47 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |