| 講演名 | 1994/5/20 Si^+イオン注入によるGaAsの表面再結合特性の改善 : レーザ/マイクロ波非接触評価を中心として 吉田 英朗, 奥山 康生, 市村 正也, 宇佐美 晶, 和田 隆夫, |
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| 抄録(和) | Si^+イオン注入とアニールによって表面に濃度層が形成させたガリウムヒ素の表面再結合特性を、レーザ, マイクロ波非接触評価法を用いて評価した。ドーズ量依存性の実験からは、アニール後に形成される高濃度層のために、ドーズ量の増加と共に実効表面再結合速度が減少する結果が得られた。一方、加速エネルギー依存性の実験からは、加速エネルギーの増加と共に実効表面再結合速度が増加する結果が得られた。この実験結果は、High-Low接合界面での実効表面再結合速度の数値計算結果と一致した。 |
| 抄録(英) | The surface recombination of GaAs which has a high carrier concentration layer formed by Si^+ implantation at the surface has been investigated using the non-contact laser, microwave evaluation method.First,the dependence on dosage was studied.The results show that the effective surface recombination velocity decreased with dosage because of the high carrier concentration layer formed after the annealing.Second,the dependence on implantation energy was studied The results show that the effective surface recombination velocity increased with energy.The results agree with the numerical calculation results of an effective surface recombination velocity at a high-low junction interface. |
| キーワード(和) | ガルウムヒ素 / 表面再結合 / Si^+イオン注入 / レーザ/マイクロ波非接触評価法 / 高濃度層 / High-Low接合 |
| キーワード(英) | GaAs / surface recombination / Si^+ implantation / non-contact laser/icrowave evaluation method / high carrier concentration layer / high-low junction |
| 資料番号 | ED94-26,CPM94-27 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1994/5/20(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si^+イオン注入によるGaAsの表面再結合特性の改善 : レーザ/マイクロ波非接触評価を中心として |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of the surface recombination velocity of GaAs by Si^+ implantation -By using the non-contact laser/microwave evaluation method- |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ガルウムヒ素 / GaAs |
| キーワード(2)（和/英） | 表面再結合 / surface recombination |
| キーワード(3)（和/英） | Si^+イオン注入 / Si^+ implantation |
| キーワード(4)（和/英） | レーザ/マイクロ波非接触評価法 / non-contact laser/icrowave evaluation method |
| キーワード(5)（和/英） | 高濃度層 / high carrier concentration layer |
| キーワード(6)（和/英） | High-Low接合 / high-low junction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉田 英朗 / Hideaki Yoshida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electnical and Computer Engineering,Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 奥山 康生 / Yasuo Okuyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electnical and Computer Engineering,Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electnical and Computer Engineering,Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宇佐美 晶 / Akira Usami |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electnical and Computer Engineering,Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 和田 隆夫 / Takao Wada |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大同工業大学応用電子工学科 Department of Applied Electronics,Daido Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1994/5/20 |
| 資料番号 | ED94-26,CPM94-27 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 47 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |