| 講演名 | 1994/5/20 LPE GaAs on GaPのGaAsPへの変換(II) 鵜殿 治彦, 元垣内 敦司, 勝野 宏宣, 木村 雅和, 田中 昭, 助川 徳三, |
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| 抄録(和) | 新しいヘテロエピタキシャル成長技術である組成変換技術によりGaP基板上にGaAsyP_1-y>混晶層(0.5〈y〈0.8)を成長させ、X線回折及びフォトルミネセンス測定による評価を行った。成長したGaAsP混晶層は室温及び77Kにおいてバンド間遷移に対応した明瞭な発光ピークを示した。更にこの混晶層上に成長させたGaAsP混晶は、より強い発光特性を示し、組成変換によって得たGaAsP層上に良好なGaAsP混晶を成長できることが判明した。 |
| 抄録(英) | GaAsyP_1-y> alloy layers(0.5y0.8)are grown on a GaP substrate by a new heteroepitaxial growth technique ″compositional conversio n′.The layers are evaluated by X-ray diffraction and photoluminesc ence.Evident emissions corresponding band-to-band recombination are observed at 77K and room temperature.More intensive photoluminescence emissions are observed from consecutive grown GaAsP layers.This result indicates fairly good GaAsP layers can be grown on the conversion layers. |
| キーワード(和) | 組成変換 / GaAsP混晶 / 格子不整 / 液相成長 / ヘテロエピタキシー / フォトル ミネセンス |
| キーワード(英) | compositional conversion / GaAsP alloy / lattice-mismatch / liquid phase epitaxy / hetero-epitaxy / photo luminescence |
| 資料番号 | ED94-25,CPM94-26 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1994/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | LPE GaAs on GaPのGaAsPへの変換(II) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The conversion of LPE GaAs on GaP to GaAsP(II) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 組成変換 / compositional conversion |
| キーワード(2)（和/英） | GaAsP混晶 / GaAsP alloy |
| キーワード(3)（和/英） | 格子不整 / lattice-mismatch |
| キーワード(4)（和/英） | 液相成長 / liquid phase epitaxy |
| キーワード(5)（和/英） | ヘテロエピタキシー / hetero-epitaxy |
| キーワード(6)（和/英） | フォトル ミネセンス / photo luminescence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鵜殿 治彦 / Haruhiko Udono |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Reserch Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 元垣内 敦司 / Atsushi Motogaito |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Reserch Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 勝野 宏宣 / Hironobu Katsuno |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Reserch Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 木村 雅和 / Masakazu Kimura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Reserch Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田中 昭 / Akira Tanaka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Reserch Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 助川 徳三 / Tokuzo Sukegawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Reserch Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 発表年月日 | 1994/5/20 |
| 資料番号 | ED94-25,CPM94-26 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 47 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |