| 講演名 | 1994/5/20 GaAs/GaP(001)における成長モード遷移 野村 卓志, 吉川 昌宏, 石川 賢司, 萩野 實, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 本論文は,基板と成長層間の格子不整合によって生じる,レイヤー・バイ・レイヤーの2次元的成長モードから3次元的島成長への成長モード遷移の機構について論じる.GaP(001)基板上にGaAsを分子線エピタキシ法によって成長し,反射高速電子線回折(RHEED)像の画像解析によって島形成と格子歪緩和過程を調べた.成長モード遷移の臨界膜厚は,成長速度によって変化することを示した.また,RHEED像の強度プロファイルから,成長を停止した後においても層から島への成長膜構造の変化と格子歪の緩和が起こっていることを明らかにした.これらの結果は,カイネティクスの制限によってGaAs膜が準安定な構造にあることを示している.これに基づいて,ヘテロ成長表面における層成長および島形成過程を考え,これらの過程の競合によって成長速度依存性を説明した. |
| 抄録(英) | This paper describes a mechanism of the growth mode transition from layer-by-layer growth to three dimensional island formation due to the large lattice mismatch.The island formation and strain relaxation of GaAs heteroepitaxial growth onto GaP(001)by molecular beam epitaxy is studied by means of an analysis of the reflection high-energy electron diffraction(RHEED)pattem. Oscillation of lattice parameter of the growing film during layer- by-layer growth is explained by a model which considers an elastic strain relaxation within coherent islands.Oscillation of diffraction intensity of specular spot indicates crifical thickness of the growth mode transition in-creases as the growth rate increases.Change of the RHEED intensity profile reveals transformafion of the film structure from layer to island and relaxation of the misfit strain even after the growth has stopped. The result shows kinetically limited metastable structure of the GaAs film.The increase of the critical thickness is explained by a surpassing of the formation rate of layer over that of island. |
| キーワード(和) | 成長モード遷移 / 格子不整合 / 格子歪 / ヘテロエピタキシ / GaAs/GaP / 分 子線エピタキシ |
| キーワード(英) | Growth mode transition / lattice mismatch / misfit strain / heteroepitaxy / GaAs/aP / molecular beam epitaxy |
| 資料番号 | ED94-23,CPM94-24 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 1994/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs/GaP(001)における成長モード遷移 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth mode transition in GaAs/GaP(001) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 成長モード遷移 / Growth mode transition |
| キーワード(2)（和/英） | 格子不整合 / lattice mismatch |
| キーワード(3)（和/英） | 格子歪 / misfit strain |
| キーワード(4)（和/英） | ヘテロエピタキシ / heteroepitaxy |
| キーワード(5)（和/英） | GaAs/GaP / GaAs/aP |
| キーワード(6)（和/英） | 分 子線エピタキシ / molecular beam epitaxy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野村 卓志 / Takashi Nomura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉川 昌宏 / Masahiro Yoshikawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石川 賢司 / Kenji Ishikawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 萩野 實 / Minoru Hagino |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 発表年月日 | 1994/5/20 |
| 資料番号 | ED94-23,CPM94-24 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 47 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |