| 講演名 | 1994/5/20 HClガスエッチング・MOCVD複合プロセスによるAlGaAs上GaAs再成長層の高品質化 杵築 弘隆, 藤井 就亮, 宮下 宗治, 三橋 豊, 高宮 三郎, |
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| 抄録(和) | 高Al組成AlGaAs上再成長層の結晶品質向上を目的にin situ HClガスエッチング・MOCVD複合プロセスの検討を行なった。低温HCl処理(350℃)を含む2段階HClガスエッチング・MOCVD複合プロセスによりAl_0.48>Ga_0.52>As上再成長界面への炭素不純物の偏析はSIMSの検出限界以下まで抑制され、酸素不純物の偏析量も従来の1, 5以下に低減された。再成長GaAs層の転位密度は1x10^3cm^-2>と連続成長と同等の結晶品質が実現できた。本手法により作製されたGaAs/AlGaAs再成長DH構造のキャリア寿命はτ=1.0nsecと連続成長と比較し得る界面特性を有している。この結果はAlGaAs上の再成長層をそのままデバイスの活性領域に適用できる可能性を示唆しており、AlGaAs系材料のin situプロセスがデバイス品質をともなって実現可能であることがはじめて示された。 |
| 抄録(英) | A combined process,namely the two-step HCl gas etching and the following MOCVD regrowth,is newly developed.The two-step HCl gas etching consists of low-temperature HCl gastreatment(LTT)and succeeding high-temperature HCl gas etching.Using the two-step HCl gas etching process,no carbon accumulation was detected at the interface between the regrown GaAs layer and the etched Al_0.48> Ga_0.52>As surface.Oxygen accumulation at the regrowth interface was reduced to less than one fifth by applying the LTT.The dislocation density of the regrown GaAs layer was shown to be comparable to that found in the usual GaAs homoepitaxial layer.The results of carrier lifetime measurements in GaAs, AlGaAs regrown DH structures indicated the excellent quality of both the regrown GaAs layer and heterointerfaces. |
| キーワード(和) | 低温HCl処理 / in situプロセス / HClガスエッチング / AlGaAs上再成長 / MO CVD |
| キーワード(英) | low temperature HCl gas treament / in situ process / gas etching / regrowth on AlGaAs / MOCVD |
| 資料番号 | ED94-22,CPM94-23 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1994/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | HClガスエッチング・MOCVD複合プロセスによるAlGaAs上GaAs再成長層の高品質化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of crystalline quallity in regrown GaAs on AlGaAs using a novel two-step HCl gas etching process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低温HCl処理 / low temperature HCl gas treament |
| キーワード(2)（和/英） | in situプロセス / in situ process |
| キーワード(3)（和/英） | HClガスエッチング / gas etching |
| キーワード(4)（和/英） | AlGaAs上再成長 / regrowth on AlGaAs |
| キーワード(5)（和/英） | MO CVD / MOCVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 杵築 弘隆 / Hirotaka Kizuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤井 就亮 / Nariaki Fujii |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮下 宗治 / Motoharu Miyashita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三橋 豊 / Yutaka Mihashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高宮 三郎 / Sabro Takamiya |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 1994/5/20 |
| 資料番号 | ED94-22,CPM94-23 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 47 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |