| 講演名 | 1994/5/20 GaAs(lll)A基板上AlGaAs/GaAsダブルヘテロ構造LDの作製 庭野 裕, 江川 孝志, 藤田 和久, 似鳥 耕一, 渡辺 敏英, 神保 孝志, 梅野 正義, |
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| 抄録(和) | MBE法によりSi単一ドーパントのみを用いて、p型及びn型の伝導型の制御を行い、(lll)A面GaAs基板上にAlGaAs, GaAsダブルヘテロ構造LDを成長した。そして、このDH構造素子を酸化膜ストライプ構造(ストライプ幅10μm)に加工した。このDH構造素子を室温連続動作させたところ、注入電流150mA程度において、30nWの発光を確認した。さらに、平坦なAlGaAs/GaAs量子界面が制御性良く成長されているため(lll)A面GaAs基板上にSi単一ドーパントのみで、レーザ構造が作製可能なことが明らかになった。 |
| 抄録(英) | Amphoteric nature of Si has been reported in growth of GaAs and AlGaAs by MBE.This amphoteric characteristic of Si has been mainly used as a current confinement in fabrication of lateral GaAs p-n junction on a patterned substrate.Although the growth of AlGaAs on planar GaAs(lll)A substrate is important for device applications such as LED and laser diode,there are problems in surface morphology,heterointerface,conduction type and carrier concentration.In this study,we demonstrate 300 K DC operation of AlGaAs, GaAs double-heterostructure(DH)LED on GaAs(lll)A-5゜- misoriented substrae using only Si dopant for the first time. |
| キーワード(和) | MBE / (lll)A面GaAs基板 / Si単一ドーパント / AlGaAs/GaAs DH構造 / L ED |
| キーワード(英) | MBE / GaAs(lll)A substrate / only Sidopant / AlGaAs/aAs DH Structure / LED |
| 資料番号 | ED94-21,CPM94-22 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1994/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs(lll)A基板上AlGaAs/GaAsダブルヘテロ構造LDの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of AlGaAs/GaAs Double-Hetero structure LD on GaAs(lll) A Substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(2)（和/英） | (lll)A面GaAs基板 / GaAs(lll)A substrate |
| キーワード(3)（和/英） | Si単一ドーパント / only Sidopant |
| キーワード(4)（和/英） | AlGaAs/GaAs DH構造 / AlGaAs/aAs DH Structure |
| キーワード(5)（和/英） | L ED / LED |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 庭野 裕 / Yutaka Niwano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer,Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi Egawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター Research Center for Micro-Structure Devices,Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤田 和久 / Kazuhisa Fujita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ATR光電波通信研究所 ATR Optical and Radio Communications Research Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 似鳥 耕一 / Kohichi Nitatori |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ATR光電波通信研究所 ATR Optical and Radio Communications Research Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 渡辺 敏英 / Toshihide Watanabe |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ATR光電波通信研究所 ATR Optical and Radio Communications Research Laboratories |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 神保 孝志 / Takashi Jimbo |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター Research Center for Micro-Structure Devices,Nagoya Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 梅野 正義 / Masayoshi Umeno |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer,Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1994/5/20 |
| 資料番号 | ED94-21,CPM94-22 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 47 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |