| 講演名 | 1994/5/20 ポーラスSiに吸着させたErのレーザードーピング 中嶋 堅志郎, 江龍 修, 池内 直樹, 大脇 弘憲, |
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| 抄録(和) | ErCl_3を吸着させたポーラスSiをKrFエキシマ・レーザーで照射することによりErをPS層にドープすることを試みた。Heイオンのラザフォード散乱測定から(RBS)、ErはPS層内に均一に吸着され、これをレーザ照射することにより表面層に500nmのEr高濃度層が形成されることが明かとなった。レーザ照射後もPS構造が保持されていることがRBSおよびフォトルミネセンス(PL)測定から推測された。ErドープされたPS層を適当な条件で熱処理することによりEr発光中心を光学活性化でき、Er固有の発光スペクトルを得ることができた。PLの温度クエンチの活性化エネルギーは46meVとなり、Erの室温発光を得る母材としてPS層は有利な材料と成ることを示した。 |
| 抄録(英) | Erbium-doping by the excimer laser irradiation has been investigated in porus silicon adsorbed with ErCl_3.Rutherford backscattering measurements show that Er atoms are adsorbed uniformly on the porus silicon structure,and that the doped layers with a peak Er concentration of 7.2X10^20>cm^-3> are formed in the 500 nm surface region.RBS and photoluminescence(PL) measurements suggest that porus silicon structures still remain after the single shot of laser irradiation.Proper heat treatments activate Er optical centers to emit sharp luminescence lines characteristic of Er atoms.It is suggested that porus silicon structures provide promising materials suitable for the strong emission of Er-ines at room temperature. |
| キーワード(和) | ポーラスシリコン / エルビウム / レーザードーピング / フォトルミネセンス / ラザフォード後方散 乱 |
| キーワード(英) | Porus silicon / Erbium / laser doping / photo luminescence / Rutherford backscattering |
| 資料番号 | ED94-19,CPM94-20 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1994/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ポーラスSiに吸着させたErのレーザードーピング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Excimer Laser Doping of Erbium Adsorbed in Porus Silicon Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ポーラスシリコン / Porus silicon |
| キーワード(2)（和/英） | エルビウム / Erbium |
| キーワード(3)（和/英） | レーザードーピング / laser doping |
| キーワード(4)（和/英） | フォトルミネセンス / photo luminescence |
| キーワード(5)（和/英） | ラザフォード後方散 乱 / Rutherford backscattering |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中嶋 堅志郎 / Kenshiro Nakashima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 江龍 修 / Osamu Eryuu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 池内 直樹 / Naoki Ikeuchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大脇 弘憲 / Hironori Oowaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1994/5/20 |
| 資料番号 | ED94-19,CPM94-20 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 47 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |