| 講演名 | 1994/5/20 エキシマレーザードーピング時のSi中のEr原子分布 江龍 修, 大脇 弘憲, 中嶋 堅志郎, |
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| 抄録(和) | 本研究ではエキシマレーザー(λ=248nm、τp=20ns)及び色素レーザー(λ=584nm、τp=500ns)の2種類のパルスレーザーを用い、レーザードーピング法で作製したEr-Si系材料の結晶性及びEr原子濃度の深さ方向分布及び原子位置を、RBS測定及びチャネリング角度分散測定により明らかにし、ドーピング効果に対するレーザー依存性を調べた。その結度、エシマレーザーを用いてドーピングを行なった場合、ErはSi表面から2000Åまでの領域においてSi格子中で、単原子状ではなくクラスターの形態で存在することを明らかにした。更に、色素レーザーを用いてドーピングを行なった場合、エキシマレーザードーピングの場合と異なり、ErはSi格子中で主にTetrahedral位置及びHexagonal位置に配列し存在していることを明らかにした。 |
| 抄録(英) | The distribution and the location of Er atoms in Si,which have been doped by means of pulsed laser doping method with an Excimer laser(λ=248nm,τp=20ns)and a Dye laser(λ=584nm,τp=500ns),is dete rmined using Rutherford backscattering spectrometry and the angular yield-profile measurements of channeling.Crystallinity of Si at the Er doped region have also been investigated.These experiments proved that the lattice location of Er atoms strongly depend on the pusled laser parameters.That is,clustering of Er atoms has been occurred within a Si by Excimer laser irradiation, while the ordering of Er atoms at the location of hexagonal sites and tetrahedral sites in Si has beenobserved in the case of Dye laser inadiation. |
| キーワード(和) | レーザードーピング / RBS / チャネリング角度分散測定 |
| キーワード(英) | pulsed laser doping / Rutherford backscattering spectroscopy / channeling |
| 資料番号 | ED94-18,CPM94-19 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1994/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エキシマレーザードーピング時のSi中のEr原子分布 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Redistribution of Er atoms in Si during Laser Doping |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | レーザードーピング / pulsed laser doping |
| キーワード(2)（和/英） | RBS / Rutherford backscattering spectroscopy |
| キーワード(3)（和/英） | チャネリング角度分散測定 / channeling |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 江龍 修 / Osamu Eryu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering,Nagoya institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大脇 弘憲 / Hironori Ohwaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering,Nagoya institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中嶋 堅志郎 / Kenshirou Nakashima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering,Nagoya institute of Technology |
| 発表年月日 | 1994/5/20 |
| 資料番号 | ED94-18,CPM94-19 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 47 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |