| 講演名 | 1994/5/20 ErドープSi中におけるEr発光中心のアニール効果 大脇 弘憲, 飯岡 修, 南 英男, 江龍 修, 中嶋 堅志郎, |
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| 抄録(和) | 本研究では、希土類元素ErがSi中に形成する発光中心の電子励起過程を明らかにすることを目的とし、ErドープSiの発光スペクトルの解析を行った。Erドーピングにはレーザードーピング法を用いた。作製したErドープSiは、ドープ後のアニールにより新たに発光中心を形成し、アニールの前後において異なる発光スペクトルを示すことが明らかとなった。アニール後の発光スペクトルの解析の結果、Si中のErは、Td、Hxおよびそれ以外のサイトに発光中心を形成していると考えられる。また、ドープ層の裏面励起によるPL測定を行った結果、光学的直接電子励起と光励起キャリアの再結合に伴う間接電子励起による発光スペクトルに差は観測されなかった。これより、Si中のErの電子励起割合は、発光中心のサイトに依存しないことがわかった。 |
| 抄録(英) | The electronic excitation processes of rare-earth elements Er doped into Si by pulsed laser irradiation have been investigated by means of the photoluminescence spectroscopy method.The results of the photoluminescence measurements prove that new luminescence centers are produced by annealing after laser irradiafion,and that PL spectra are different between before and after annealing.An analysis of PL spectra after annealing shows that Er luminescence centers are in tetrahedral hexagonal and the other sites of Si lattice.In back side excitation photoluminescence measurements,the same spectra,as in the case of optical direct excitation,emerge even by the indirect excitation for Er luminescence centers.These results suggest do excitation rate of Er luminescence centers in Si is independent of their sites. |
| キーワード(和) | 希土類元素 / エルビウム / レーザードーピング / フォトルミネッセンス |
| キーワード(英) | rare-earth / Erbium / laser doping / photoluminescence |
| 資料番号 | ED94-17,CPM94-18 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1994/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ErドープSi中におけるEr発光中心のアニール効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thermal annealing effects of Er lumnescence centers in Er doped Si |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 希土類元素 / rare-earth |
| キーワード(2)（和/英） | エルビウム / Erbium |
| キーワード(3)（和/英） | レーザードーピング / laser doping |
| キーワード(4)（和/英） | フォトルミネッセンス / photoluminescence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大脇 弘憲 / Hironori Ohwaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering,Nagoya institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 飯岡 修 / Osamu Iioka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering,Nagoya institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 南 英男 / Hideo Minami |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering,Nagoya institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 江龍 修 / Osamu Eryu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering,Nagoya institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中嶋 堅志郎 / Kensiro Nakashima |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering,Nagoya institute of Technology |
| 発表年月日 | 1994/5/20 |
| 資料番号 | ED94-17,CPM94-18 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 47 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |