講演名 1994/5/20
MOVPE法によるHgCdTe低温成長特性
波多野 博紀, 川本 和宏, 南出 雅哉, 前島 隆行, / 安田 和人,
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抄録(和) (100)GaAs基板上に275℃でMOVPE成長した(100)HgCdTe(MCT)層の組成制御特性とCdTe、HgTe層格子歪の膜厚依存性を検討した。成長原料としてはDtBTe、DMCd、金属Hgを用いた。MCT層中のCd組成はDMCd量にサブリニアに比例して増加するが、Hgに対するDtBTe比を変化することによりCd組成の増加率を制御できる。また425℃で成長したCdTe、HgTe層では膜厚5μm程度以下では格子定数は膜厚の増加とともに急速にバルク値に近づき、5μm以上ではバルク値と一致することがわかった。一方、275℃で成長した層の格子定数は膜厚1μm程度でバルク値と一致することがわかった。
抄録(英) Composition control of HgCdTe layers and lattice strain of HgTe and CdTe layers grown by MOVPE at low growth temperature of 275℃ h ave been studied.Cd composition of HgCdTe layer were controled by DMCd flow at fixed Hg and DtBTe flow.Rate of Cd incorporation into grown layers were dependent on DtBTe, Hg ratio.Lattice constants of CdTe and HgTe layers grown at 425℃ decrease steeply with increa sing layer thickness and coincide with bulk values above 5μm.Latti ce constants of layers grown at 275℃ approach bulk values around t hickness of 1μm.
キーワード(和) MOVPE / HgCdTe / CdTe / HgTe / 組成制御 / 格子歪
キーワード(英) MOVPE / HgCdTe / CdTe / HgTe / composition control / lattice strain
資料番号 ED94-16,CPM94-17
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 1994/5/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) MOVPE法によるHgCdTe低温成長特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) Growth characteristics of HgCdTe layers grown by MOVPE at low temperature
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) MOVPE / MOVPE
キーワード(2)(和/英) HgCdTe / HgCdTe
キーワード(3)(和/英) CdTe / CdTe
キーワード(4)(和/英) HgTe / HgTe
キーワード(5)(和/英) 組成制御 / composition control
キーワード(6)(和/英) 格子歪 / lattice strain
第 1 著者 氏名(和/英) 波多野 博紀 / Hiroki Hatano
第 1 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学
Nagoya Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 川本 和宏 / Kazuhiro Kawamoto
第 2 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学
Nagoya Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 南出 雅哉 / Masaya Minamide
第 3 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学
Nagoya Institute of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 前島 隆行 / Takayuki Maejima
第 4 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学
Nagoya Institute of Technology
第 5 著者 氏名(和/英) / 安田 和人 / Touati Ferid
第 5 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学
Nagoya Institute of Technology
発表年月日 1994/5/20
資料番号 ED94-16,CPM94-17
巻番号(vol) vol.94
号番号(no) 47
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日