| 講演名 | 1994/10/11 GaAs基板上高In組成歪チャネルHEMTのMBE成長 工藤 真, 三島 友義, |
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| 抄録(和) | GaAs基板上InGaAs歪チャネルHEMTの高性能化のため、In組成が0.25より大きい歪InGaAs層のMBE法による成長を検討した。フォトルミネッセンス法、及びホール測定により、結晶性が良好でかつInの表面偏析が最小となる成長温度は400℃であることがわかった。また、In組成が0.3を越えると、チャネルの厚さが6mmと非常に薄し場合でも高移動度、高シート電子濃度が得られることがわかった。また、高In組成化の有効性をHEMTの直流特性からも示した。 |
| 抄録(英) | Highly strained InGaAs layers grown by MBE are investigated using photoluminescence and hall measurements for improving the performance of pseudomorphic HEMTS.At a low growth temperature of 400℃ at which In surface segregation is reduced,the In mole fracti on exceeds 0.30 without degmrading crystalline quality of InGaAs layers.A relatively thin 6-nm channel is thick enough to obtain high mobility and high sheet electron concentration by increasing the In composition.The highly strained In_xGa^1-x>As channel HEMTs(0.3【less than or equal】x【less than or equal】0.4)show supe rior transconductance over conventional In_0.25>Ga_0.75>As channel HEMTS. |
| キーワード(和) | 歪InGaAsチャネル / HEMT / 表面偏析 / MBE法 / In組成 |
| キーワード(英) | strained InGaAs layers / MBE / HEMTs / surface segregation / In composition |
| 資料番号 | ED94-75 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1994/10/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs基板上高In組成歪チャネルHEMTのMBE成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Highly strained InGaAs channel HEMTs on GaAs substrates grown by MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 歪InGaAsチャネル / strained InGaAs layers |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / MBE |
| キーワード(3)（和/英） | 表面偏析 / HEMTs |
| キーワード(4)（和/英） | MBE法 / surface segregation |
| キーワード(5)（和/英） | In組成 / In composition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 工藤 真 / Makoto Kudou |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi,Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi,Ltd. |
| 発表年月日 | 1994/10/11 |
| 資料番号 | ED94-75 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 268 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |