| 講演名 | 1994/9/14 TCADによる高集積0.4μmCMOS回路モデルパラメータ生成 国友 久彰, 青山 仁子, 常野 克己, 佐藤 久子, 中村 高秀, 増田 弘生, |
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| 抄録(和) | プロセス・デバイスシミュレーションを、次世代CMOS,DRAMのコンカレント回路・プロセス設計の有効な手法とする為、今回、0.4umデバイスの第0次プロセス設計およびその結果に基づいた回路MOSモデルパラメータのシミュレーションベース生成を行った。第0次プロセス設計においては、プロセス及びデバイス特性のデータベースと、系統的にプロセス・デバイスシミュレーションを実行した結果により、回路設計要求仕様を満たすプロセス条件を新たに決定した。また、基本CMOS回路モデルパラメータ生成では、上記プロセス条件でプロセス・デバイスシミュレーションを実行し、さらにドレイン電流データベースを用いて、回路特性ワースト条件でのCMOSデバイスのチャネル長(L)依存回路パラメータを作成した。 |
| 抄録(英) | To achieve concurrent design of process and circuit for next - generation 0.4um CMOS, DRAM,predictive process design and MOS model - parameter generation have been conducted based - on process and device simulations.A couple of tens simulations and gloval calibrations based on process and device data - base successfully provide reliable and accurate prediction in device performance.A set of channel - length dependent MOS model parameters were determined with reasonable accuracy for 0.4um CNOS circuit design without TEG fabrication. |
| キーワード(和) | 回路モデルパラメータ / ワースト条件 / チャネル長依存 |
| キーワード(英) | circuit model-parameter / worst condition / channel-length dependent |
| 資料番号 | ED94-65,SDM94-102,VLD94-62 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1994/9/14(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | TCADによる高集積0.4μmCMOS回路モデルパラメータ生成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | TCAD-based Generation of Circuit Model-Parameters for 0.4μm CMOS P rocess Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 回路モデルパラメータ / circuit model-parameter |
| キーワード(2)（和/英） | ワースト条件 / worst condition |
| キーワード(3)（和/英） | チャネル長依存 / channel-length dependent |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 国友 久彰 / Hisaaki Kunitomo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立マイコンシステム Microcomputer System,Hitachi |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 青山 仁子 / Kimiko Aoyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center,Hitachi |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 常野 克己 / Katsumi Tsuneno |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center,Hitachi |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐藤 久子 / Hisako Sato |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center,Hitachi |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中村 高秀 / Takahide Nakamura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center,Hitachi |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 増田 弘生 / Hiroo Masuda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日立製作所デバイス開発センタ Device Development Center,Hitachi |
| 発表年月日 | 1994/9/14 |
| 資料番号 | ED94-65,SDM94-102,VLD94-62 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 231 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |