講演名 1994/9/14
多変量解析法によるMOSFET電流駆動能力に関する検討
常野 克己, 増田 弘生,
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抄録(和) N型MOSトランジスタのドレイン電流に関するデータベースを作成した。本研究では多変量解析法を用いドレイン電流、実効チャネル長、ゲート酸化膜厚、実効ゲート電圧を変数としてLeff=0.25umまで適用可能な回帰式Ids=exp(0.676-0.505lnTox-0.688lnLeff+1.223lnVe)を導出している。この結果、上記変数を代入することによりドレイン電流の実測結果に基づく概略値を知る事ができる。また、上記変数を代入することによりドレイン電流の実測結果に基づく概略値を知る事ができる。また、上記解析結果より、メモリ用ではロジック等のデバイスに対し1um以下の短チャネル領域でチャネル長に対するドレイン電流の増加率が低下している事を明らかにした。
抄録(英) A data based on MOSFET′s current draiving capability has been de veloped based on multivariate analysis with 153 experimental data. In this study,we selected effective channel length,gate oxide thickness and effective gate voltage as facters of multivariate analysis.And we derived an emprical regression formula ″Ids=exp(0. 676-0.505lnTox-0.688lnLeff+1.223lnVe)″,that can be used for 0.25~ 5um devices.From this formula and factors,we can estimate accurate NMOS current driving capability.It is noted that devices used in DRAM′s show degraded performance compared with that of Logic LSI′ s,in sub-micron NMOS.
キーワード(和) 多変量解析法 / 重回帰分析 / ドレイン電流 / MOSFET
キーワード(英) multivariate analysis / multiple regression technique / drain current / MOSFET
資料番号 ED94-64,SDM94-101,VLD94-61
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 1994/9/14(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 多変量解析法によるMOSFET電流駆動能力に関する検討
サブタイトル(和)
タイトル(英) Study of current driving capability of MOSFET based on Multivariate Analysis
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 多変量解析法 / multivariate analysis
キーワード(2)(和/英) 重回帰分析 / multiple regression technique
キーワード(3)(和/英) ドレイン電流 / drain current
キーワード(4)(和/英) MOSFET / MOSFET
第 1 著者 氏名(和/英) 常野 克己 / Katsumi Tsuneno
第 1 著者 所属(和/英) 日立製作所デバイス開発センタ
Device Development Center,Hitachi,Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 増田 弘生 / Hiroo Masuda
第 2 著者 所属(和/英) 日立製作所デバイス開発センタ
Device Development Center,Hitachi,Ltd.
発表年月日 1994/9/14
資料番号 ED94-64,SDM94-101,VLD94-61
巻番号(vol) vol.94
号番号(no) 231
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日