| 講演名 | 1994/9/14 インパクトイオン化の非局所性を考慮したn-MOSFETの基板電流モデル 園田 賢一郎, 山地 充, 谷口 研二, 浜口 智尋, 國清 辰也, |
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| 抄録(和) | MOSFETのドレイン近傍の電界が急峻に変化する領域でのインパクトイオン化係数を,インパクトイオン化に対する電界の非局所性を表す特性長を用いてモデル化した.特性長はMOSFETのゲート酸化膜厚とソース, ドレイン接合深さx_jの関数として決められる.このモデル式を用いてn-MOSFETの基板電流の解析式モデルを導き,擬2次元モデルで用いる特性長の理論式と実験式との違いが,インパクトイオン化に対する電界の非局所性に起因するものであることを明らかにした.さらに,このインパクトイオン化係数モデルをドリフトー拡散モデルのデバイスシミュレータに適用し,今回提案したインパクトイオン化係数モデルがドリフトー拡散モデルのデバイスシミュレータでインパクトイオン化を正確に計算するために有効であることを示した. |
| 抄録(英) | We propose a nonlocal impact ionization coefficient applicable for the drain region where an electric field changes exponentially. The nonlocal impact ionization coefficient is expressed as a function of an electric field and a characteristic length determined from a thickness of gate oxide and a source, drain junction depth.A new substrate current model for n-MOSFET is also derived on the basis of the new nonlocal impact ionization coefficient.The model well explains the reason why there exists the discrepancy between theoretical and empirical expressions for a characteristic length used in a pseudo two-dimensional model for MOSFET′s.The nonlocal impact ionization model implemented in a dev ice simulator demonstrates that the new impact ionization model can predict substrate current correctly in the framework of drift- diffusion model.. |
| キーワード(和) | 非局所インパクトイオン化 / 基板電流 / デバイスシミュレーション / ドリフトー拡散モデル |
| キーワード(英) | Nonlocal Impact Ionization / Substrate Current / Device Simulation / Drift-Diffusion Model |
| 資料番号 | ED94-62,SDM94-99,VLD94-59 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1994/9/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | インパクトイオン化の非局所性を考慮したn-MOSFETの基板電流モデル |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Substrate Current Model for n-MOSFET′s Including Nonlocal Impact I onization Effect |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 非局所インパクトイオン化 / Nonlocal Impact Ionization |
| キーワード(2)（和/英） | 基板電流 / Substrate Current |
| キーワード(3)（和/英） | デバイスシミュレーション / Device Simulation |
| キーワード(4)（和/英） | ドリフトー拡散モデル / Drift-Diffusion Model |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 園田 賢一郎 / Ken-ichiro Sonoda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学工学部電子工学科 Department of Electronic Engineering,Faculty of Engineering,Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山地 充 / Mitsuru Yamaji |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学工学部電子工学科 Department of Electronic Engineering,Faculty of Engineering,Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 谷口 研二 / Kenji Taniguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学工学部電子工学科 Department of Electronic Engineering,Faculty of Engineering,Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 浜口 智尋 / Chihiro Hamaguchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学工学部電子工学科 Department of Electronic Engineering,Faculty of Engineering,Osaka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 國清 辰也 / Tatsuya Kunikiyo |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI開発研究所 ULSI Laboratory,Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 1994/9/14 |
| 資料番号 | ED94-62,SDM94-99,VLD94-59 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 231 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |