| 講演名 | 1994/9/14 バンド構造を反映したイオン化確率の高精度モデル 佐野 伸行, 吉井 彰, |
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| 抄録(和) | 半導体の状態密度を用いてイオン化確率を定式化することにより、現実的バンド構造を反映した高精度なイオン化モデルを提案した。このイオン化モデルを用いてSi,GaAs,InAs,In_0.53>Ga_0.47>Asに対してのイオン化確率を求め、Constant Matrix Element近似のもとでの第一原理的イオン化確率との比較を行ない本モデルの有効性を確認した。また高エネルギー領域におけるイオン化確率が、これらの材料に殆ど関係なくほぼ普遍的な値とエネルギー依存性を示すことを見出した。これらの計算結果をもとに、従来のKeldysh公式とその一般化に関しての限界についての検討も行なった。 |
| 抄録(英) | A novel model of the impact ionization probability in semiconductors was proposed.The present ionization probability is expressed in terms of the density of states of semiconductors and, thus,reflects the details of the realistic band structure of semiconductors.We calculated the ionization probabilities for Si, GaAs,InAs,and In_0.53>Ga_0.47>As,and compared with those from the first-principles under the constant matrix element approximation.A reasonable agreement between the two approaches was obtained.We also found that the ionization probability has a similar magnitude and energy-dependence at high energy regions for all materials we have considered. |
| キーワード(和) | インパクト・イオン化 / イオン化確率 / キャリア輸送 / ホット・キャリア効果 |
| キーワード(英) | impact ionization / ionization probability / carrier transport / hot-carrier effects |
| 資料番号 | ED94-61,SDM94-98,VLD94-58 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1994/9/14(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | バンド構造を反映したイオン化確率の高精度モデル |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Novel impact ionization model consistent with band structure of semiconductors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | インパクト・イオン化 / impact ionization |
| キーワード(2)（和/英） | イオン化確率 / ionization probability |
| キーワード(3)（和/英） | キャリア輸送 / carrier transport |
| キーワード(4)（和/英） | ホット・キャリア効果 / hot-carrier effects |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐野 伸行 / Nobuyuki Sano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT LSI研究所 NTT LSI Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉井 彰 / Akira Yoshii |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT LSI研究所 NTT LSI Laboratories |
| 発表年月日 | 1994/9/14 |
| 資料番号 | ED94-61,SDM94-98,VLD94-58 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 231 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |