| 講演名 | 1994/9/14 MOS素子の多数バレーバンド構造に基づくモンテカルロシミュレーション 山地 充, 園田 賢一郎, 國清 辰也, 谷口 研二, 浜口 智尋, |
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| 抄録(和) | 複数の伝導帯バレーを解析式で表現したバンドを用いた新しいモンテカルロ法を考案した.同シミュレータを用いて指数関数的に変化する電界中でのインパクトイオン化係数を求め,従来のインパクトイオン化係数モデルとの比較を行い,新しいイオン化係数が実際のデバイスシミュレータに対して有効であることが分かった.反転層中の電子を三次元的に取扱い,界面散乱のモデルとして界面に衝突した電子のある一定の割合が鏡面反射するものとしてMOSFETの反転層の移動度をシミュレーションした.実験結果との比較により,そのモデルが反転層中の電子の運転をかなり正確に再現していることが分かった. |
| 抄録(英) | We developed a Monte Carlo simulator with multi-conduction valleys expressed by a set of analytical expressions.Impact- ionization coefficient was calculated in exponentially increasing field by the use of the Monte Carlo simulator.Compared with the reported impact ionization coefficient,the new non-local impact lonization coefficient is found to be useful for MOS device simulation.In the program,conduction electrons in the inversion are assumed to be three dimensional electrons.We simulated electron mobility in the MOS inversion layer by assuming that a given fraction of electrons colliding at the Si, SiO2 interface receives mirror reflection.Compared with experimental results,it is found that the new model well reproduces the kinetic of electrons in the MOS inversion layer. |
| キーワード(和) | モンテカルロシミュレーション / 解析バンド / マルチバレー / インパクトイオン化係数 / 界面散 乱 |
| キーワード(英) | Monte Carlo Simulation / Analytical Band / Multi-valley / Ionization Coefficient / Surface Scattering |
| 資料番号 | ED94-60,SDM94-97,VLD94-57 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1994/9/14(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOS素子の多数バレーバンド構造に基づくモンテカルロシミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Monte Carlo Simulation based on Multi-valley Band Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | モンテカルロシミュレーション / Monte Carlo Simulation |
| キーワード(2)（和/英） | 解析バンド / Analytical Band |
| キーワード(3)（和/英） | マルチバレー / Multi-valley |
| キーワード(4)（和/英） | インパクトイオン化係数 / Ionization Coefficient |
| キーワード(5)（和/英） | 界面散 乱 / Surface Scattering |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山地 充 / Mitsuru Yamaji |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学工学部電子工学科 Department of Electronic Engineering,Faculty of Engineering,Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 園田 賢一郎 / Ken'ichiro Sonoda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学工学部電子工学科 Department of Electronic Engineering,Faculty of Engineering,Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 國清 辰也 / Tatsuya Kunikiyo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機ULSI開発研究所 ULSI Laboratory,Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 谷口 研二 / Kenji Taniguchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学工学部電子工学科 Department of Electronic Engineering,Faculty of Engineering,Osaka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 浜口 智尋 / Chihiro Hamaguchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学工学部電子工学科 Department of Electronic Engineering,Faculty of Engineering,Osaka University |
| 発表年月日 | 1994/9/14 |
| 資料番号 | ED94-60,SDM94-97,VLD94-57 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 231 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |