| 講演名 | 1994/9/14 InAlAs/InGaAs HEMTにおけるキンク現象のデバイスシミュレーション 榎木 孝知, 佐野 伸行, 富沢 雅彰, |
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| 抄録(和) | 実効電子温度モデルによる衝突イオン化率とゲート近傍の半導体表面空乏層を考慮した二次元デバイスシミュレーションを用いて、InAlAs, InGaAs HEMTのI-V特性に見られるキンク現象のモデルについて議論する。このモデルにおけるキンク発現要因は、衝突イオン化により生じた正孔の蓄積により、表面空乏化によるソース抵抗増加が緩和されるためであると考える。また、キンクの発現は、ゲートリセスにおけるサイドエッチング量に強く依存し、InAlAs成長条件やバッファ層構造だけでなく、プロセス依存性があることが分かった。 |
| 抄録(英) | In this paper,we report effects of non-isothermal non- equdlibrium simulation which consistently takes account of both carrier and lattice temperatures on MOSFET characteristics.To obtain stable convergence and high rebability of simulation,some effective methods for solving the energy balance equation are proposed.These include an estimation of initial values,a correction of non-physical negative carrier densities and temperatures which occur during calculation,and an adaptive mesh method.These also result in a faster convergence of the simulation. MOSFET characteristics based on this model are compared with other conventional ones.It is found that non-isothermal non- equilibrium transport effect can not be neglected in small-size semiconductor devices. |
| キーワード(和) | InGaAs / 衝突イオン化 / キンク / 表面空乏層 / 二次元デバイスシミュレーション |
| キーワード(英) | InGaAs / Impact ionization / Kink / Surface depletion layer / Two dimensional device simulation |
| 資料番号 | ED94-56,SDM94-93,VLD94-53 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1994/9/14(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InAlAs/InGaAs HEMTにおけるキンク現象のデバイスシミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Device simulation of kink phenomend in InAlAs/InGaAs HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(2)（和/英） | 衝突イオン化 / Impact ionization |
| キーワード(3)（和/英） | キンク / Kink |
| キーワード(4)（和/英） | 表面空乏層 / Surface depletion layer |
| キーワード(5)（和/英） | 二次元デバイスシミュレーション / Two dimensional device simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 榎木 孝知 / Takatomo Enoki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT LSI研究所 NTT LSI Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐野 伸行 / Nobuyuki Sano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT LSI研究所 NTT LSI Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 富沢 雅彰 / Masaaki Tomizawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT LSI研究所 NTT LSI Laboratories |
| 発表年月日 | 1994/9/14 |
| 資料番号 | ED94-56,SDM94-93,VLD94-53 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 231 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |