| 講演名 | 1994/9/14 半導体デバイスの非等温・非平衡シミュレーション 川島 博文, 林 洋一, 檀 良, |
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| 抄録(和) | キャリア温度と格子温度を共に考慮した非等温・非平衡シミュレーションのMOSFET解析に及ぼす影響を報告する.また,シミュレーションの安定した収束性と高い信頼性を得るために,エネルギー保存式の解法に有効ないくつかの手法を提案する.その手法は,変数の初期値見積もり,計算途中の非物理的な負のキャリア密度と温度の修正,そして順応メッシュ法である.その結果,シミュレーションのより速い収束性を得ることができた.MOSFETデバイスにおいて,このモデルを用いて解析した特性を従来モデルと比較した.その結果,非等温・非平衡輸送効果は,微細半導体素子において無視できないことがわかった. |
| 抄録(英) | In this paper,we report effects of non-isothermal non- equdlibrium simulation which consistently takes account of both carrier and lattice temperatures on MOSFET characteristics.To obtain stable convergence and high rebability of simulation,some effective methods for solving the energy balance equation are proposed.These include an estimation of initial values,a correction of non-physical negative carrier densities and temperatures which occur during calculation,and an adaptive mesh method.These also result in a faster convergence of the simulation. MOSFET characteristics based on this model are compared with other conventional ones.It is found that non-isothermal non- equilibrium transport effect can not be neglected in small-size semiconductor devices. |
| キーワード(和) | デバイスシミュレーション / エネルギー保存式 / 熱伝導方程式 / 順応メッシュ法 / MOS FET |
| キーワード(英) | device simulation / energy balance equation / thermal diffusion equation / adaptive mesh method / MOSFET |
| 資料番号 | ED94-55,SDM94-92,VLD94-52 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1994/9/14(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 半導体デバイスの非等温・非平衡シミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Non-isothermal non-equilibrium simulation of semiconductor devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| キーワード(2)（和/英） | エネルギー保存式 / energy balance equation |
| キーワード(3)（和/英） | 熱伝導方程式 / thermal diffusion equation |
| キーワード(4)（和/英） | 順応メッシュ法 / adaptive mesh method |
| キーワード(5)（和/英） | MOS FET / MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川島 博文 / Hirofumi Kawashima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 法政大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering,Hosei University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 林 洋一 / Hirokazu Hayashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 沖電気工業 Oki Electric Industry Company |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 檀 良 / Ryo Dang |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 法政大学工学部電子情報学科 College of Engineering,Hosei University |
| 発表年月日 | 1994/9/14 |
| 資料番号 | ED94-55,SDM94-92,VLD94-52 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 231 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |