| 講演名 | 1999/3/5 ボール半導体技術 竹田 宣生, |
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| 抄録(和) | 本論文では、球面上に集積回路を作るための鍵を握っている重要な製造技術を大きく5つに分けて、球状単結晶を製造する技術、ボールにダメージを与えずにプロセスを行う非接触搬送とそのプロセス技術、球面上にパターンを形成する露光技術、球面にパターン設計をする3次元VLSI設計技術ならびにボールを実装するクラスタリング技術を中心として、ボール半導体の開発状況を紹介する。また、直径1mmのシリコン球面上に初めて試作されたMOSトランジスタの特性を示す。 |
| 抄録(英) | This paper discribcs five key enabling technologics of the integrated circuits on the sphere such as the single cristallization technology, the no-contact processing technology to privent damages on the surface, the spherica1 lithography technology, the three dimensional VLSI design technology and the clustering technology for mounting balls. And the electrical characteristics of a MOS transistor is shown here as the first active device on a 1mm Silicon sphere. |
| キーワード(和) | 半導体 / ボール / 球 / 集積回路 |
| キーワード(英) | Semiconductor / Ball / Sphere / Integrated Circuit |
| 資料番号 | ED98-270 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1999/3/5(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ボール半導体技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ball Semiconductor Technology |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体 / Semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | ボール / Ball |
| キーワード(3)（和/英） | 球 / Sphere |
| キーワード(4)（和/英） | 集積回路 / Integrated Circuit |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 竹田 宣生 / Nobuo Takeda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ボールセミコンダクター・インコーポレーテッド Ball Semiconductor Inc. |
| 発表年月日 | 1999/3/5 |
| 資料番号 | ED98-270 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 629 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |