| 講演名 | 1999/2/15 強誘電体薄膜表面の相分離層処理技術 : 化学処理による強誘電体薄膜表面の清浄化技術 藤崎 芳久, 嶋本 泰洋, 鳥居 和功, 松井 裕一, |
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| 抄録(和) | Pb(Zr,Ti)O3(PZT), (Ba,Sr)TiO3(BST)等のペロブスカイト強誘電体薄膜の表面劣化現象及びその劣化構造を解析した。表面は比較的容易に相分離し、誘電体特性劣化をもたらす。この相分離層は硝酸処理によりほぼ完全に除去可能で、これにより強誘電体キャパシタの特性改善が可能であることを示した。 |
| 抄録(英) | Chemical states and structures of thin degenerated layers grown on the surface of (Ba,Sr) TiO_3 (BST) films are investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). It was found that decomposition occurred as a result or the air exposure and also as a result of annealing. A careful study of a Ba 3d peak in the XPS spectrum reveals that Ba in BST crystal easily decomposes out of the perovskite phase and makes BaCO_3 or barium oxides, whereas no significant change occurs in Sr, or Ti oxides. This degenerated layer can be removed by nitric acid treatment. It was also found that the surface BST becomes rather stable against exposure to air compared with the original one after the nitric acid treatment. |
| キーワード(和) | BST / XPS / 相分離 / 硝酸処理 / 表面処理 |
| キーワード(英) | BST / XPS / decomposition / nitric acid / surface treatment / humidity |
| 資料番号 | ED98-244 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1999/2/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 強誘電体薄膜表面の相分離層処理技術 : 化学処理による強誘電体薄膜表面の清浄化技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Decomposed Layer Appearing on the Surface of Barium Strontium Titanate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | BST / BST |
| キーワード(2)（和/英） | XPS / XPS |
| キーワード(3)（和/英） | 相分離 / decomposition |
| キーワード(4)（和/英） | 硝酸処理 / nitric acid |
| キーワード(5)（和/英） | 表面処理 / surface treatment |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤崎 芳久 / Yoshihisa Fujisaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 嶋本 泰洋 / Yasuhiro Shimamoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鳥居 和功 / Kazuyoshi Torii |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松井 裕一 / Yuichi Matsui |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 発表年月日 | 1999/2/15 |
| 資料番号 | ED98-244 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 590 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |