| 講演名 | 1999/1/22 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討 原 直紀, 中舎 安宏, 長原 正樹, 常信 和清, 渡邊 祐, 滝川 正彦, |
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| 抄録(和) | 携帯端末用単一電源動作パワー増幅器に用いるために、順方向ゲート立上り電圧(V_f)を高い値に維持しつつ、高ドレイン電流化が可能な新しいEモード埋め込みゲートFET構造を開発した。ゲート順方向電流経路がゲート-ソース間距離(Ls)によらず一定となるような構造をとることで、V_fの低下を招かずにLsの短縮を可能とし、それに応じてドレイン電流が約50%増加した。V_ | =0.32Vの新構造FETのパワー特性を評価した結果、周波数850MHz、V_ |
| 抄録(英) | We developed a new type of E-mode FETs which provide single-voltage operation of power amplifiers in portable phone handsets. Gate current paths were optimized, and a high gate-turn-on voltage and a high drain current density were obtained at the same time. This allows a 50% increase of the drain current by shortening the gate-to-source length without increasing the gate leakage current. We applied this technique to completely E-mode FETs(V_ | >0.3 V). A power added efficiency as high as 70.6% has been achieved for an output power of 33 dBm under a V_ |
| キーワード(和) | 完全EモードFET / 単一電源動作 / パワー増幅器 / 高V_f / 高ドレイン電流 | |
| キーワード(英) | Completely E-mode FET / Single supply voltage / Power amplifier / High V_f / High drain current | |
| 資料番号 | ED98-214,MW98-177,ICD98-281 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1999/1/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高V_fEモードFETにおける高ドレイン電流化の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Gate Current Path Optimized E-Mode FET Structure with High Drain Current Density and High Gate-turn-on Voltage |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 完全EモードFET / Completely E-mode FET |
| キーワード(2)（和/英） | 単一電源動作 / Single supply voltage |
| キーワード(3)（和/英） | パワー増幅器 / Power amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | 高V_f / High V_f |
| キーワード(5)（和/英） | 高ドレイン電流 / High drain current |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 原 直紀 / Naoki Hara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd., |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中舎 安宏 / Yasuhiro Nakasha |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd., |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長原 正樹 / Masaki Nagahara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス株式会社 Fujitsu Quantum Device Ltd., |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 常信 和清 / Kazukiyo Joshin |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd., |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 渡邊 祐 / Yuu Watanabe |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd., |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 滝川 正彦 / Masahiko Takikawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd., |
| 発表年月日 | 1999/1/22 |
| 資料番号 | ED98-214,MW98-177,ICD98-281 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 519 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |