| 講演名 | 1998/11/20 マストランスポートによるInAsP量子細線の作製と光学特性評価 戸田 知朗, 中野 義昭, |
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| 抄録(和) | MOVPEに基づくマストランスポート法を用いInP基板V溝上にInAsP量子細線を作製することに成功した。量子細線のサイズはマストランスポートを行う温度によって制御可能であり、それとは独立に歪み及び細線の組成はマストランスポート中のV族雰囲気の組成で制御可能である。作製された量子細線はバリアとの強い格子不整合にも関わらず転移はの全くない良好な界面を有し、従来のV溝による作製法とは異なり余計な寄生構造を持たない特長をもつ。PLは室温においても強い発光を観測し量子細線の品質を裏付けている。また量子細線に固有の発光強度の偏波依存性も見られTEMによる観測と合わせてキャリアの有効な閉じ込めが推察できた。 |
| 抄録(英) | InAsP quantum wires (QWRs) were sucsessfully fabricated on V-grooved InP substrate by using mass-transport method based on MOVPE. The quantum wire size is controllable by the mass-transport temperature, and its strain and composition are independently adjustable by the constitution of group V sources in the atmosphere during the mass-transport. The interface of QWR had good quality without any dislocations in spite of its large lattice mis-matching. Unlike the conventional growth on V-grooves no parasitic structures were found. Strong photoluminescence intensity at room temperature proves a good optical qualty and its polarization dependency peculiar to QWRs shows a good confinement of carriers with the fact of TEM observation. |
| キーワード(和) | MOVPE / マストランスポート法 / InAsP / InP / 量子細線 / V溝 |
| キーワード(英) | MOVPE / mass-transport method / InAsP / InP / quantum wire (QWR) / V-groove |
| 資料番号 | OCS98-76,ED98-167,OPE98-108,LQE98-107 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1998/11/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | マストランスポートによるInAsP量子細線の作製と光学特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of InAsP Quantum Wires by Using Mass-Transport Method and Their Optical Characterization |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | マストランスポート法 / mass-transport method |
| キーワード(3)（和/英） | InAsP / InAsP |
| キーワード(4)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(5)（和/英） | 量子細線 / quantum wire (QWR) |
| キーワード(6)（和/英） | V溝 / V-groove |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 戸田 知朗 / T. Toda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学工学系研究科電子工学専攻 Dept. of Electronic Engineering, Univ. of Tokyo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中野 義昭 / Y. Nakano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学工学系研究科電子工学専攻 Dept. of Electronic Engineering, Univ. of Tokyo |
| 発表年月日 | 1998/11/20 |
| 資料番号 | OCS98-76,ED98-167,OPE98-108,LQE98-107 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 414 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |