| 講演名 | 1998/11/5 臨界膜厚を越えたInAs層を動作層とするHJFET構造の作製 中山 達峰, 宮本 広信, |
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| 抄録(和) | Matthews等の式から求めた臨界膜厚を越える厚さのInAs歪層を動作層としたHJFET構造をInP基板上に作製することに成功した。新しい構造ではInAlAs/InAsヘテロ界面にAlAs層を導入することで、平滑なInAlAs/AlAs/InAsヘテロ界面を形成することができた。この構造を用いることで、InAs歪層厚7nm(従来の約2倍)を動作層としたHJFET構造において、高移動度185,00cm^2/Vs、高シート電子濃度3.13×10^<12>cm^<-2>を同時に実現することができた。 |
| 抄録(英) | We successfully realized a modulation-doped structure on InP substrate with a thick strained InAs channel, the thickness of which was two times thicker than the previously reported critical thickness. In our structure, an AlAs layer was inserted between an InAlAs spacer layer and the thick strained InAs channel to prevent two-dimensional to three-dimensional transition occurred at InAlAs/InAs heterointerface. Using a thick(7nm)strained InAs layer as a channel, we simultaneously achieved high electron mobility of 18,500cm^2/Vs and high sheet carrier density of 3.13 x 10^<12>cm^<-2> in the modulation doped structure on InP substrate. |
| キーワード(和) | InAs / 歪層 / 臨界膜厚 / 移動度 / MBE |
| キーワード(英) | InAs / strained layer / critical thickness / mobility / MBE |
| 資料番号 | ED98-130,CPM98-133 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1998/11/5(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 臨界膜厚を越えたInAs層を動作層とするHJFET構造の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | HJFET Structure with Thick Strained InAs Channel : Beyond the Critical Thickness |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAs / InAs |
| キーワード(2)（和/英） | 歪層 / strained layer |
| キーワード(3)（和/英） | 臨界膜厚 / critical thickness |
| キーワード(4)（和/英） | 移動度 / mobility |
| キーワード(5)（和/英） | MBE / MBE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中山 達峰 / T. Nakayama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC光・超高周波デバイス研究所 Optoelectronics and High Frequency Device Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮本 広信 / H. Miyamoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 1998/11/5 |
| 資料番号 | ED98-130,CPM98-133 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 383 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |