| 講演名 | 1998/11/5 ZnS系量子井戸構造における紫外誘導放出機構の温度依存性 吉村 和正, 渡辺 英史, 山田 陽一, 田口 常正, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 減圧MOCVD法により作製したCd_xZn_<1-x>S-ZnS多重量子井戸構造に関して、混晶量子井戸層の組成比および井戸幅を変化させた一連の試料に対して、誘導放出光スペクトルの温度依存性の測定を行った。誘導放出機構および誘導放出に対するしきい励起パワー密度は、組成比に強く依存し、井戸幅にはほとんど無関係であることがわかった。また、キャリアの閉じ込め効果が大きい試料において、励起子分子による誘導放出が240Kまで生じている可能性があることがわかった。 |
| 抄録(英) | Temperature-dependent stimulated emission processes have been studied in Cd_xZn_<1-x>S-ZnS multiple-quantum-well structures with various Cd composition ratios and thicknesses of ternary alloy well layers. The stimulated emission process was strongly dependent on the Cd composition ratio and seemed to be independent of the well layer thickness. It was also found that a radiative decay process of biexcitons revealed much lower threshold for stimulated emission, and the biexcitonic stimulated emission was observed up to about 240 K. |
| キーワード(和) | 量子井戸 / 励起子 / 励起子分子 / 誘導放出 / 温度依存性 |
| キーワード(英) | quantum well / exciton / biexciton / stimulated emission / temperature dependence |
| 資料番号 | ED98-129,CPM98-132 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 1998/11/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ZnS系量子井戸構造における紫外誘導放出機構の温度依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature dependence of ultraviolet stimulated emission processes in ZnS-based quantum well structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子井戸 / quantum well |
| キーワード(2)（和/英） | 励起子 / exciton |
| キーワード(3)（和/英） | 励起子分子 / biexciton |
| キーワード(4)（和/英） | 誘導放出 / stimulated emission |
| キーワード(5)（和/英） | 温度依存性 / temperature dependence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉村 和正 / Kazumasa Yoshimura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Yamaguchi University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 渡辺 英史 / Hidefumi Watanabe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Yamaguchi University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山田 陽一 / Yoichi Yamada |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Yamaguchi University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田口 常正 / Tsunemasa Taguchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Engineering, Yamaguchi University |
| 発表年月日 | 1998/11/5 |
| 資料番号 | ED98-129,CPM98-132 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 383 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |