| 講演名 | 1998/11/5 光化学堆積CdS薄膜の結晶構造と光学的特性 市村 正也, 後藤 文孝, 荒井 英輔, |
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| 抄録(和) | 光化学堆積(PCD)法によって堆積したCdSに熱処理を施し、構造的及び光学的特性の変化を測定した。熱処理前の堆積膜は準安定な立方晶であった。熱処理温度が440℃以下の範囲では立方晶が保たれるが、熱処理温度が450℃に達すると結晶構造は六方晶に変化し、同時に結晶性が向上する。さらにルミネッセンス強度も450℃の熱処理により大きく増加する。光吸収より求めた禁制帯幅は、低温(<400℃)の熱処理で堆積直後に比べて約0.1eV減少した後、450℃の熱処理で急激に増加して単結晶CdSとほぼ同じ値になった。以上より、450℃以上の温度で熱処理を施せば、良好な結晶性の六方晶CdSが得られることが示された。 |
| 抄録(英) | CdS thin films grown by photochemical deposition(PCD)are characterized by X-ray diffraction(XRD), Raman spectroscopy, photoluminescence and optical transmission measurements. The as-deposited film is dominantly zincblende cubic. The cubic phase remains dominant until the annealing temperature T becomes higher than 440℃. After the annealing at 450℃, the structure turns to hexagonal and the XRD peak width decreases. The near-band-edge liminescence is observed for T>450℃. The bandgap is decreased by annealing at T<440℃ and then abruptly increased by the annealing at 450℃. |
| キーワード(和) | CdS / 光化学堆積法 / 太陽電池 / 熱処理 / 相転移 |
| キーワード(英) | CdS / photochemical deposition / solar cell / annealing / phase transition |
| 資料番号 | ED98-128,CPM98-131 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1998/11/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光化学堆積CdS薄膜の結晶構造と光学的特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystal structure and optical properties of CdS films grown by photochemical deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CdS / CdS |
| キーワード(2)（和/英） | 光化学堆積法 / photochemical deposition |
| キーワード(3)（和/英） | 太陽電池 / solar cell |
| キーワード(4)（和/英） | 熱処理 / annealing |
| キーワード(5)（和/英） | 相転移 / phase transition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / M. ICHIMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学共同研究センター Center for Cooperative Research, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 後藤 文孝 / F. GOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 荒井 英輔 / E. ARAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Department of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1998/11/5 |
| 資料番号 | ED98-128,CPM98-131 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 383 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |