| 講演名 | 1998/11/5 InAs/GaAs量子ドットの高次量子準位とテラヘルツ自然放出の観察 古川 雄三, 野田 進, 石井 基範, 竹屋 智樹, |
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| 抄録(和) | InAs/GaAs量子ドットは, そのサブバンド間遷移を利用することでTHz域の小型光デバイスの実現が可能であると期待される.しかしながら我々の知る限り発振はもちろんのこと, 量子ドットのサブバンド間自然放出光の観測例はなく, その特性は明らかにされていない.そこで, まず, 理論的, 実験的解析から, InAs/GaAs量子ドットにおける量子準位の同定を行い, 6つの量子準位の存在を確認した.また, モンテカルロ法を用いた理論解析からサブバンド間自然放出の可能性を示し, pin構造のダイオードにおいてサブバンド間自然放出光と思われるTHz域での発光を確認した.さらに, THz域発振デバイスへの電子の供給方法としてカスケード的な電子注入法が, 有効であることを示した. |
| 抄録(英) | Spontaneous emission by intersubband-transition in InAs/GaAs self-assembled quantum dots(QDs)is investigated. First of all, the excited states of the QDs are assigned, and the intensity of the intersubband-spontaneous emission is theoretically calculated by using Monte-Calro method. Then, the measurement of the spontaneous emission is performed, and the emission in THz region is successfully observed for the first time. The method to increase the spontaneous emission power(and also to obtain population inversion)is also investigated. |
| キーワード(和) | InAs/GaAs / 量子ドット / サブバンド / THz域デバイス / モンテカルロ法 |
| キーワード(英) | InAs/GaAs / quantum dot / subband / THz device / Monte Carlo method |
| 資料番号 | ED98-127,CPM98-130 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1998/11/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InAs/GaAs量子ドットの高次量子準位とテラヘルツ自然放出の観察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Mode Assignment of Exited States in InAs/GaAs Quantum Dot and Observation of Terahertz Spontaneous Emission |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAs/GaAs / InAs/GaAs |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドット / quantum dot |
| キーワード(3)（和/英） | サブバンド / subband |
| キーワード(4)（和/英） | THz域デバイス / THz device |
| キーワード(5)（和/英） | モンテカルロ法 / Monte Carlo method |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 古川 雄三 / Yuzo Furukawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野田 進 / Susumu Noda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石井 基範 / Motonori Ishii |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹屋 智樹 / Tomoki Takeya |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 1998/11/5 |
| 資料番号 | ED98-127,CPM98-130 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 383 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |