| 講演名 | 1998/11/5 III族原子表面拡散制御MBEによるInGaAs量子細線の作製 田沼 保彦, 菅谷 武芳, 米井 健治, 中川 格, 小倉 睦郎, 杉山 佳延, 関口 隆史, |
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| 抄録(和) | 通常のMBEにおいてAs_2フラックスと原子状水素照射を利用することにより、InP-V溝段差基板上のInGaAs/InAlAs量子細線構造の作製に成功した。通常のAs_4フラックスではInAlAsバリア層の成長後にV溝を保持できないことから量子細線の形成は困難であるが、As_2フラックスでは成長中のIn原子のV溝側面から底への拡散を抑制するため、V溝は保持される。成長中に原子状水素を照射して作製した量子細線構造は、狭いPLピークと均一なCL像を示した。これらの現象は、原子状水素の照射によって(311)A側面においてIII族原子の再蒸発が起こり、光学的特性に優れた量子細線が作製されたためと思われる。これらの効果を用いて試作した量子細線FETは良好なトランジスタ特性を示した。 |
| 抄録(英) | InGaAs/InAlAs quantum wire structures on V-grooved InP substrates have been fabricated with As_2 flux and atomic hydrogen irradiation using molecular beam epitaxy. Under As_2 flux, the V-grooves are preserved during the InAlAs barrier layer growth due to a small migration of the In atoms, but the V-shape is not preserved and hence the quantum wires cannot be fabricated under an As_4 flux. The InGaAs quantum wires grown with atomic hydrogen have a narrow photoluminescence peak and a uniform cathode-luminescence image. These phenomena maybe caused by the absence of(311)A sidewall quantum wells due to reevaporation of the group-III atoms by the atomic hydrogen irradiation. The field effect transistor with quantum wire channels demonstrated good saturation characteristics. |
| キーワード(和) | 分子線エピタキシー(MBE)法 / InGaAs量子細線 / 選択成長 / 原子状水素照射 / 表面拡散制御 / FET |
| キーワード(英) | molecular beam epitaxy(MBE) / InGaAs quantum wire / atomic hydrogen / selective growth / atomic hydrogen irradiation / surface diffusion control / FET |
| 資料番号 | ED98-126,CPM98-129 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1998/11/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | III族原子表面拡散制御MBEによるInGaAs量子細線の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of InGaAs Quantum Wires by Surface-Diffusion-Controlled Molecular Beam Epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 分子線エピタキシー(MBE)法 / molecular beam epitaxy(MBE) |
| キーワード(2)（和/英） | InGaAs量子細線 / InGaAs quantum wire |
| キーワード(3)（和/英） | 選択成長 / atomic hydrogen |
| キーワード(4)（和/英） | 原子状水素照射 / selective growth |
| キーワード(5)（和/英） | 表面拡散制御 / atomic hydrogen irradiation |
| キーワード(6)（和/英） | FET / surface diffusion control |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田沼 保彦 / Yasuhiko Tanuma |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 Shibaura Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 菅谷 武芳 / Takeyoshi Sugaya |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 米井 健治 / Kenji Yonei |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 芝浦工業大学 Shibaura Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中川 格 / Tadashi Nakagawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小倉 睦郎 / Mutsuo Ogura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 杉山 佳延 / Yoshinobu Sugiyama |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 関口 隆史 / Takashi Sekiguchi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学 Tohoku University |
| 発表年月日 | 1998/11/5 |
| 資料番号 | ED98-126,CPM98-129 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 383 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |