| 講演名 | 1998/11/5 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島/GaP(001)構造の作製 渕 真悟, 野々垣 陽一, 守屋 博光, 藤原 康文, 竹田 美和, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 減圧有機金属気相エピタキシャル法(LP-OMVPE)によりGaP(001)上にInAs島の作製を行った。AFMを用いて、InAs島作製温度及びTMIn供給量に対する表面モフォロジーの変化を調べた。その結果、InAs島作製温度450℃、TMIn供給量0.3μmol/minの場合に、もっともサイズが小さくかつ高密度のInAs島が得られた。そのInAs島の高さは5nm、底面直径は30nmであった。このInAs島を用いGaP/InAs島/GaP構造を作製した。キャップ層に用いるGaPの最適成長温度とInAs島の最適作製温度の間に大きな温度差が存在するため、キャップ層の成長を行うにあたり3種類の異なる成長シーケンスを用いた。作製した試料の断面TEM観察を行った結果、キャップ層成長シーケンスが、埋め込まれたInAs島のサイズやキャップ層の結晶性に大きな影響を与えることがわかった。 |
| 抄録(英) | We fabricated InAs islands on GaP(001)by low-pressure organometallic vapor phase epitaxy(LP-OMVPE). Using AFM, we investigated the effects of substrate temperature and TMIn flow rate on the shape, size and areal density of InAs islands. The smallest InAs islands with the highest density were obtained at 450℃ with the TMIn flow rate of 0.3 μmol/min. The size of the InAs islands is 5 nm in height and 30 nm in width. We fabricated GaP/InAs islands/GaP(001)structures using three types of growth sequences for GaP cap layers. Cross-sectional TEM observation on buried InAs islands revealed that the growth sequence for GaP cap layers affected strongly the size of InAs islands and crystal-quality of GaP cap layers. |
| キーワード(和) | OMVPE / InAs島 / GaP(001) / AFM / 断面TEM |
| キーワード(英) | OMVPE / InAs islands / GaP(001) / AFM / cross-sectional TEM |
| 資料番号 | ED98-125,CPM98-128 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 1998/11/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島/GaP(001)構造の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of GaP/InAs islands/GaP(001)structures by organometallic vapor phase epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | OMVPE / OMVPE |
| キーワード(2)（和/英） | InAs島 / InAs islands |
| キーワード(3)（和/英） | GaP(001) / GaP(001) |
| キーワード(4)（和/英） | AFM / AFM |
| キーワード(5)（和/英） | 断面TEM / cross-sectional TEM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渕 真悟 / S. Fuchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野々垣 陽一 / Y. Nonogaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 守屋 博光 / H. Moriya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤原 康文 / Y. Fujiwara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 竹田 美和 / Y. Takeda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 1998/11/5 |
| 資料番号 | ED98-125,CPM98-128 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 383 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |