| 講演名 | 1998/11/5 表面マイグレーション制御自己停止成長特性の基板形状依存性 王 学論, 小倉 睦郎, 松畑 洋文, |
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| 抄録(和) | 流量変調エピタキシーを用いたV溝基板上へのGaAsの成長において観測された成長の自己停止現象について、基板の形状を変化させて調べた。その結果、自己停止がV溝の周期、(001)メサ平坦部の幅などの基板形状パラメータに依存しないことが分かった。これらの実験結果は、自己停止機構の解明およびデバイス応用の場合の構造設計にとって重要な情報になることが期待される。 |
| 抄録(英) | V-grooved substrate shape dependence of the growth properties of surface migration induced self-limited growth was investigated by growing on substrates with various size parameters. It was found that the self-limiting behavior is essentially independent of V-groove period in the range of 2-7 μm and the width of the(001)mesa top facet. These results are considered as important information for the investigation of self-limiting mechanism and the structure design of devices using V-grooved quantum wires. |
| キーワード(和) | 量子細線 / GaAs / 自己停止 / 流量変調エピタキシー / 基板形状 |
| キーワード(英) | quantum wire / GaAs / self-limited / flow rate modulation epitaxy / shape of substrate |
| 資料番号 | ED98-124,CPM98-127 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1998/11/5(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 表面マイグレーション制御自己停止成長特性の基板形状依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dependence of Surface Migration Induced Self-Limited Growth on the Shape of V-grooved Substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子細線 / quantum wire |
| キーワード(2)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(3)（和/英） | 自己停止 / self-limited |
| キーワード(4)（和/英） | 流量変調エピタキシー / flow rate modulation epitaxy |
| キーワード(5)（和/英） | 基板形状 / shape of substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 王 学論 / Xue-Lun Wang |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所電子デバイス部 Electrotechnical Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小倉 睦郎 / Mutsuo Ogura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所電子デバイス部 Electrotechnical Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松畑 洋文 / Hirofumi Matsuhata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所電子デバイス部 Electrotechnical Laboratory |
| 発表年月日 | 1998/11/5 |
| 資料番号 | ED98-124,CPM98-127 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 383 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |