| 講演名 | 1998/7/22 p型GaNに対するオーム性電極材の酸素アニール効果 前田 知幸, 藤田 聡, 小出 康夫, 村上 正紀, 上村 俊也, 柴田 直樹, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | p型GaNに対するAu基オーム性電極材(NiAu, CoAu, CuAu, PdAu, およびPtAu)の電気的特性および界面微細構造に及ぼす窒素/酸素雰囲気中におけるアニール効果を調べた。酸素濃度3～100%の雰囲気中、500～600℃のアニール後、すべての電極材のコンタクト抵抗率(p_c)およびp-GaN層の抵抗率(p_s)は窒素雰囲気中でのアニールに較べて減少した。コンタクト界面での微細構造を観察した結果、この原因は界面反応後の新たな半導体中間層の形成によるのではなく、p-GaN層中の水素濃度が減少したためMgアクセプタ濃度が実効的に増加したためであると推定された。 |
| 抄録(英) | Effects of annealing in a N_2/O_2 ambient on electrical properties of Au-based Ohmic contacts(NiAu, CoAu, CuAu, PdAu, and PtAu)to p-type GaN were studied. Contact resistivity(r_C)and resistivity of p-GaN epilayer(r_s)of all contacts after annealing in the N_2/O_2(3～100%)ambient at temperatures of 500～600^o___C were reduced as compared with the values after annealing in the N_2 ambient. The reason was believed to be due to the increase of doping density of p-GaN epilayer, which was provided by reactivation of Mg acceptor passivated by hydrogen. |
| キーワード(和) | p-GaN / オーム性電極材 / 酸素アニール / コンタクト抵抗率 / 水素 / アクセプタ |
| キーワード(英) | p-GaN / Ohmic contacts / oxygen annealing / contact reisistivity / hydrogen / acceptor |
| 資料番号 | ED98-96 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 1998/7/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | p型GaNに対するオーム性電極材の酸素アニール効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of annealing in an oxygen ambient on electrical properties of Ohmic contacts to p-GaN. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | p-GaN / p-GaN |
| キーワード(2)（和/英） | オーム性電極材 / Ohmic contacts |
| キーワード(3)（和/英） | 酸素アニール / oxygen annealing |
| キーワード(4)（和/英） | コンタクト抵抗率 / contact reisistivity |
| キーワード(5)（和/英） | 水素 / hydrogen |
| キーワード(6)（和/英） | アクセプタ / acceptor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 前田 知幸 / Tomoyuki Maeda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤田 聡 / Satoshi Fujita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小出 康夫 / Yasuo Koide |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 村上 正紀 / Masanori Murakami |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 上村 俊也 / Toshiya Uemura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊田合成(株)オプトE事業部 Toyoda Gosei Co.Ltd., Department of Opt E |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 柴田 直樹 / Naoki Shibata |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 豊田合成(株)オプトE事業部 Toyoda Gosei Co.Ltd., Department of Opt E |
| 発表年月日 | 1998/7/22 |
| 資料番号 | ED98-96 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 185 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |