| 講演名 | 1998/7/22 金属/GaNショットキーおよび絶縁膜/GaN界面の電気的特性と熱処理の効果 澤田 孝幸, 澤田 雅和, 山形 友二, 今井 和明, 飯塚 浩一, 吉野 正樹, 友澤 秀征, |
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| 抄録(和) | 金属/n-GaN界面およびPCVD-SiO_2, SiN_x/n-GaN界面の電気的特性をI-V, C-V測定により評価した。金属/n-GaN界面では、フェルミ準位はピンニングされておらず、ショットキー障壁高は金属の仕事関数に大きく依存すること、また、酸化膜による汚染など半導体の表面状態にも関係していることが示された。さらに、N_2中における400-500℃の熱処理によって、I-V特性のn値は、むしろ改善されることが示された。絶縁膜/n-GaN界面においては、フェルミ準位はゲート電圧に応じて禁制帯の上部1/3程度の範囲で移動し得ること、また、H_2中における300-500℃の熱処理が界面準位密度の低減に有効であり、最小値として1×10^<11>cm^<-2>eV^<-1>以下が得られることを明らかにした。 |
| 抄録(英) | Electrical Properties of metal/n-GaN and PCVD-SiO_2, SiN_x/n-GaN interfaces are investigated by I-V and C-V measurements of Schottky and MIS diodes. It is found that Fermi level at metal/n-GaN interface is unpinned, and the Schottky barrier height ψ_ |
| キーワード(和) | n-GaN / ショットキー界面 / 絶縁膜/n-GaN界面 / 界面準位 / I-V / C-V |
| キーワード(英) | n-GaN / Schottky / Insulator/n-GaN Interface / Interface States / I-V / C-V |
| 資料番号 | ED98-94 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1998/7/22(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 金属/GaNショットキーおよび絶縁膜/GaN界面の電気的特性と熱処理の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Properties of Metal/GaN Schottky and Insulator/GaN Interfaces and Effects of Thermal Annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | n-GaN / n-GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー界面 / Schottky |
| キーワード(3)（和/英） | 絶縁膜/n-GaN界面 / Insulator/n-GaN Interface |
| キーワード(4)（和/英） | 界面準位 / Interface States |
| キーワード(5)（和/英） | I-V / I-V |
| キーワード(6)（和/英） | C-V / C-V |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 澤田 孝幸 / Takayuki Sawada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道工業大学 Hokkaido Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 澤田 雅和 / Masakazu Sawada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道工業大学 Hokkaido Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山形 友二 / Yuji Yamagata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道工業大学 Hokkaido Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 今井 和明 / Kazuaki Imai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道工業大学 Hokkaido Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 飯塚 浩一 / Kouichi Iizuka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北海道職能開発短大 Hokkaido Polytechnic College |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 吉野 正樹 / Masaki Yoshino |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 北海道職能開発短大 Hokkaido Polytechnic College |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 友澤 秀征 / Hidemasa Tomozawa |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 京都セミコンダクター Kyoto Semiconductor Corp. |
| 発表年月日 | 1998/7/22 |
| 資料番号 | ED98-94 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 185 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |