講演名 1998/7/21
AFM微細酸化法による室温動作単一電子素子
松本 和彦,
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抄録(和) 原子間力顕微鏡(AFM)のカンチレバーを陰極として用い、原子オーダー平坦アルミナ絶縁基板上に形成したチタン金属薄膜を、カンチレバーの直下のみ局所的に陽極酸化を行って、単一電子デバイスを形成する手法について最近の成果についてまとめる。これまで行ってきた微細酸化法の改善法、測定手法の改善による測定系のノイズ、リーク電流の低減の効果について述べる。また室温における単一電子トランジスタのクーロン振動特性、クーロンダイアモンド特性の結果について述べる。
抄録(英) Room temperature characteristics of the single electron transistor fabricated using the AFM nano-oxidation process are described. New and improved AFM non-oxidation process are also included which enhances the aspect ration of the oxidized titanium line. A clear Coulomb oscilation with teh period of 1.8V and a Coulomb diamond are observed at room temperature.
キーワード(和) AFM / STM / 単一電子素子 / クーロン振動 / クーロンダイアモンド
キーワード(英) AFM / STM / single electron transistor / Coulomb oscillation / Coulomb diamond
資料番号 ED98-76
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 1998/7/21(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) AFM微細酸化法による室温動作単一電子素子
サブタイトル(和)
タイトル(英) Room Temperature Single Electron Transistor formed by AFM Nano-Oxidation Process
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) AFM / AFM
キーワード(2)(和/英) STM / STM
キーワード(3)(和/英) 単一電子素子 / single electron transistor
キーワード(4)(和/英) クーロン振動 / Coulomb oscillation
キーワード(5)(和/英) クーロンダイアモンド / Coulomb diamond
第 1 著者 氏名(和/英) 松本 和彦 / Kazuhiko Matsumoto
第 1 著者 所属(和/英) 電子技術総合研究所電子デバイス部
Electrotechnical Laboratory
発表年月日 1998/7/21
資料番号 ED98-76
巻番号(vol) vol.98
号番号(no) 184
ページ範囲 pp.-
ページ数 7
発行日