| 講演名 | 1998/5/21 ガラス基板上低温形成薄膜多結晶シリコン太陽電池 中島 昭彦, 吉見 雅士, 岡本 圭史, 多和田 裕子, 山本 憲治, |
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| 抄録(和) | ガラス基板上にプラズマCVDを用いた低温形成法により薄膜多結晶シリコン太陽電池を作製した。下地反射層のテクスチャ化により、2ミクロン以下のうす膜でも25mA/cm^2以上の短絡電流が取り出せる新規光閉じ込め構造(STAR構造) を開発した。2ミクロン厚の薄膜多結晶シリコン太陽電池で実効変換効率10.7% (アパチャ効率10.1%、JQA測定) を達成した。感度スペクトル解析、SPV法による評価から薄膜多結晶シリコン太陽電池は膜厚以上の少数キャリア拡散長を有することが分かった。 |
| 抄録(英) | The performances of thin film poly-Si solar cells with a thickness of less than 5μm on a glass substrate have been systematically investigated. The cell of glass/back reflector/n-i-p type Si/ITO is well characterized by the structure of naturally surface texture and enhanced absorption with a back reflector(STAR), where the active i-type poly-Si layer was fabricated by plasma chemical vapor deposition(CVD)at low temperature. The cell with a thickness of 2.0 μm demonstrated an intrinsic efficiency of 10.7%(aperture 10.1%)as independently confirmed by Japan Quality Assurance. Based on the result of the spectral response analysis and the SPV analysis of the minority carrier diffusion length, it is postulated that the low temperature poly-Si prepared by plasma CVD gives a device quality of poly-Si film. |
| キーワード(和) | 太陽電池 / 薄膜 / 結晶シリコン / ガラス基板 / 低温プロセス / プラズマCVD |
| キーワード(英) | solar cell / thin film / crystalline silicon / glass substrate / low temperature processes / plasma CVD |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1998/5/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ガラス基板上低温形成薄膜多結晶シリコン太陽電池 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thin film poly-Si solar cells fabricated on glass substrate by low temperature processes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 太陽電池 / solar cell |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜 / thin film |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶シリコン / crystalline silicon |
| キーワード(4)（和/英） | ガラス基板 / glass substrate |
| キーワード(5)（和/英） | 低温プロセス / low temperature processes |
| キーワード(6)（和/英） | プラズマCVD / plasma CVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中島 昭彦 / Akihiko Nakajima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 鐘淵化学工業(株)神戸研究所PV事業開発グループ Kaneka corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉見 雅士 / Masashi Yoshimi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 鐘淵化学工業(株)神戸研究所PV事業開発グループ Kaneka corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡本 圭史 / Yoshifumi Okamoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 鐘淵化学工業(株)神戸研究所PV事業開発グループ Kaneka corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 多和田 裕子 / Yuko Tawada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 鐘淵化学工業(株)神戸研究所PV事業開発グループ Kaneka corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山本 憲治 / Kenji Yamamoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 鐘淵化学工業(株)神戸研究所PV事業開発グループ Kaneka corporation |
| 発表年月日 | 1998/5/21 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 59 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |